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1. (WO2008117355) DISPOSITIF DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117355    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/055877
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 22.03.2007
CIB :
H01L 21/428 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/368 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : PIONEER CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Meguro 1-chome, Meguro-ku, Tokyo 1538654 (JP) (Tous Sauf US).
OCHI, Hideo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHIZAWA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATOH, Hideo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
CHUMAN, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHTA, Satoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HARADA, Chihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OCHI, Hideo; (JP).
YOSHIZAWA, Atsushi; (JP).
SATOH, Hideo; (JP).
CHUMAN, Takashi; (JP).
OHTA, Satoru; (JP).
HARADA, Chihiro; (JP)
Mandataire : MIZUNO, Katsufumi; 721, Marunouchi-Nakadori Bldg. 2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板製造装置、半導体基板製造方法及び半導体基板
Abrégé : front page image
(EN)It is an object to provide a semiconductor substrate manufacturing device that carries out predetermined processing, such as annealing treatment and semiconductor material coating, with high accuracy for a lot of semiconductor forming regions widely formed on a surface of a flexible substrate, such as a plastic substrate, even if the substrate expands or shrinks. The semiconductor substrate manufacturing device is comprised of a tracking means (33) provided with a light emitting unit (34) for irradiating light to the substrate surface while tracking, a light receiving means (35) for receiving light that reflects from the substrate surface irradiated by the light from the light emitting unit (34), and a position detecting unit (36) for detecting a position of the semiconductor forming region based on a spectrum or intensity of the received light; and a structure as a semiconductor processing means for carrying out predetermined processing for each semiconductor forming region, for example, an annealing light irradiating means (37) and an ink jet nozzle.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de fabrication de substrat semi-conducteur consistant à réaliser un traitement prédéterminé, tel qu'un traitement de recuit et un revêtement de matériau semi-conducteur, avec une grande précision pour de nombreuses régions de formation de semi-conducteurs formées de manière étendue sur une surface d'un substrat souple, tel qu'un substrat en matière plastique, même si le substrat se dilate ou se rétrécit. Le dispositif de fabrication de substrat semi-conducteur comporte un moyen de repérage (33) muni d'une unité d'émission de lumière (34) pour irradier de la lumière vers la surface de substrat tout en assurant un repérage, un moyen de réception de lumière (35) pour recevoir la lumière qui réfléchit depuis la surface de substrat irradiée par la lumière provenant de l'unité d'émission de lumière (34), et une unité de détection de position (36) pour détecter une position d'une région de formation de semi-conducteur en fonction d'un spectre ou d'une intensité de la lumière reçue; et une structure sous la forme d'un moyen de traitement de semi-conducteurs pour effectuer un traitement prédéterminé pour chaque région de formation de semi-conducteur, par exemple, un moyen d'irradiation de lumière de recuit (37) et une buse à jet d'encre.
(JA)プラスチック基板などの伸縮性を有する基板の表面に広範囲に亘って形成される多数の半導体形成領域に対して、基板が伸縮しても、アニール処理や半導体材料の塗布などの所定の処理を高精度に行う半導体基板製造装置を提供する。 トラッキングしながら基板表面に光を照射する発光部(34)と、この発光部(34)から照射されて前記基板表面に反射した光を受光する受光部(35)と、受光した光のスペクトルまたは強度に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出する位置検出部(36)と、を有するトラッキング手段(33)と、前記トラッキング手段(33)からの位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う半導体処理手段として、例えばアニール光照射手段(37)やインクジェットノズルを備えた構成とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)