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1. (WO2008117354) DISPOSITIF À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE , ET TÊTE MAGNÉTIQUE, APPAREIL D'ENREGISTREMENT MAGNÉTIQUE, ET UNITÉ DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ÉQUIPÉS D'UN TEL DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117354    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/055875
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 22.03.2007
CIB :
H01L 43/08 (2006.01), G01R 33/09 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01F 10/30 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
JOGO, Arata [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : JOGO, Arata; (JP)
Mandataire : OKAMOTO, Keizo; OKAMOTO PATENT OFFICE Yamanishi Bldg, 4F 11-7, Nihonbashi Ningyo-cho 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND, EQUIPPED THEREWITH, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC RECORDING APPARATUS AND MAGNETIC MEMORY UNIT
(FR) DISPOSITIF À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE , ET TÊTE MAGNÉTIQUE, APPAREIL D'ENREGISTREMENT MAGNÉTIQUE, ET UNITÉ DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ÉQUIPÉS D'UN TEL DISPOSITIF
(JA) 磁気抵抗効果素子、及びこれを備えた磁気ヘッド、磁気記録装置、磁気メモリ装置
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a magnetoresistance effect device that regarding a CPP type magnetoresistance effect device, realizes a high MR ratio through improvement of a material of laminated ferri-pinned layer; a process for producing the magnetoresistance effect device; and, constructed using the device, a magnetic head, magnetic disc apparatus and magnetic memory unit. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] There is provided a magnetoresistance effect device characterized by having a substrate and, sequentially superimposed thereon, an antiferromagnetic layer, a first fixed magnetized layer, a nonmagnetic binding layer, a second fixed magnetized layer, a nonmagnetic interlayer and a free ferromagnetic layer, wherein either the first fixed magnetized layer or the second fixed magnetized layer has a film from a material consisting of an alloy containing a rare earth element or a rare earth element per se. Preferably, the material consisting of an alloy containing a rare earth element or a rare earth element per se is one represented by the formula (CoaFe(1-a))(1-b)Xb (wherein X is at least one of Sm, Eu, Gd, Tb and Dy, and a and b are atomic composition ratios, satisfying the relationships 0≤a≤1 and 0.05≤b≤1).
(FR)La présente invention concerne un dispositif à effet de magnétorésistance, notamment un dispositif à effet de magnétorésistance CPP, permettant de réaliser un rapport de magnétorésistance élevé grâce à l'amélioration d'un matériau de couche ferromagnétique fixée ; un procédé de production du dispositif à effet de magnétorésistance ; et, une tête magnétique, un appareil de disque magnétique construits avec ledit dispositif ainsi qu'une unité de mémoire magnétique. L'invention concerne un dispositif à effet de magnétorésistance caractérisé en ce qu'il comporte un substrat et, successivement superposées sur le substrat, une couche anti-ferromagnétique, une première couche magnétisée fixée, une couche de liaison amagnétique, une seconde couche magnétisée fixée, une couche intermédiaire amagnétique et une couche ferromagnétique libre, soit la première couche magnétisée fixée soit la seconde couche magnétisée fixée comprenant un film réalisé à partir d'un matériau constitué d'un alliage contenant un élément de terre rare ou d'un élément de terre rare en soi. De préférence, le matériau constitué d'un alliage contenant un élément de terre rare ou d'un élément de terre rare en soi est représenté par la formule (CoaFe(1-a))(1-b)Xb dans laquelle X est au moins un parmi Sm, Eu, Gd, Tb et Dy, et a et b sont des rapports atomiques de composition, satisfaisant les relations 0≤a≤1 et 0.05≤b≤1.
(JA)【課題】 CPP型の磁気抵抗効果素子において、積層フェリピン層の材料を改善しMR比の高い磁気抵抗効果素子を得ると共に、この磁気抵抗効果素子の製造方法、この素子を利用した磁気ヘッド、磁気ディスク装置、磁気メモリ装置を提供する。 【解決手段】 基板の上方に反強磁性層と、第1固定磁化層と、非磁性結合層と、第2固定磁化層と、非磁性中間層と、フリー強磁性層とが順に形成され、前記第1固定磁化層および第2固定磁化層のうちの何れか一方が、希土類元素を含む合金、または希土類元素の単体からなる材料から形成された膜を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子による。  前記希土類元素を含む合金、または希土類元素の単体からなる材料が、(CoaFe(1-a)(1-b)b(XはSm、Eu、Gd、Tb、Dyの少なくとも一種、a及びbは原子組成比率を表し、0≦a≦1、0.05≦b≦1)で表される材料であると好適である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)