WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008117282) FORME POLYMORPHE DE BASE DE GRANISÉTRON ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117282    N° de la demande internationale :    PCT/IL2008/000407
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 24.03.2008
CIB :
C07D 451/14 (2006.01), A61K 31/55 (2006.01), A61P 1/08 (2006.01)
Déposants : CHEMAGIS LTD. [IL/IL]; 29 Lehi Street, 51200 Bnei Brak (IL) (Tous Sauf US).
GAFNI, Yael [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
WEISMAN, Alex [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
ADIN, Itai [IL/IL]; (IL) (US Seulement)
Inventeurs : GAFNI, Yael; (IL).
WEISMAN, Alex; (IL).
ADIN, Itai; (IL)
Mandataire : MUSHKIN, Noam; Perrigo Israel Pharmaceuticals Ltd., Intellectual Property Department, 29 Lehi Street, 51200 Bnei Brak (IL)
Données relatives à la priorité :
11/691,778 27.03.2007 US
Titre (EN) POLYMORPH OF GRANISETRON BASE AND PRODUCTION PROCESS THEREFOR
(FR) FORME POLYMORPHE DE BASE DE GRANISÉTRON ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)Provided is crystalline granisetron base form I and processes for producing crystalline granisetron base form I, which is suitable for preparing, e.g., granisetron salts such as, e.g., the hydrochloride salt. Also provided is a process for producing a salt of granisetron from crystaline granisetron base form (I).
(FR)La présente invention concerne une forme cristalline I de base de ganisétron et des procédés de production de forme cristalline I de base de ganisétron, approprié pour la préparation, par exemple, de sels de ganisétron, tels que le sel d'hydrochlorure. L'invention concerne également un procédé de production d'un sel de ganisétron à partir de la forme cristalline I de base de ganisétron.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)