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1. (WO2008117255) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À RÉFLECTEUR À DIFFUSION POREUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117255    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/051157
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 27.03.2008
CIB :
H01L 33/16 (2010.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC [US/US]; 370 West Trimble Road MS 91/MG, San Jose, California 95131 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : EPLER, John; (US).
ZHAO, Hanmin; (US).
KRAMES, Michael; (US)
Mandataire : BEKKERS, Joost, J.J.; High Tech Campus Building 44, NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
11/692,132 27.03.2007 US
Titre (EN) LED WITH POROUS DIFFUSING REFLECTOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À RÉFLECTEUR À DIFFUSION POREUX
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to light emitting diodes and, in particular, to a technique for improving the light extraction efficiency without increasing the operating voltage by providing a light diffusing layer that adds virtually no forward voltage drop. In one embodiment, an AlInGaP LED includes a bottom n-type layer (16), an active layer (18), a top p-type layer (22), and a thick n-type GaP (24) layer over the top p-type layer. The thick n-type GaP layer is then subjected to an electrochemical etch process that causes the n-type GaP layer to become porous and light-diffusing. Electrical contact is made to the p-GaP layer under the porous n-GaP layer by providing metal-filled vias through the porous layer, or electrical contact is made through non-porous regions of the GaP layer between porous regions. The LED chip may be mounted on a submount with the porous n-GaP layer facing the submount surface. The pores and metal layer reflect and diffuse the light, which greatly increases the light output of the LED. Other embodiments of the LED structure are described.
(FR)La présente invention concerne des diodes électroluminescentes et, notamment, une technique pour améliorer l'efficacité d'extraction de lumière sans accroître la tension de fonctionnement en fournissant une couche de diffusion de lumière qui n'ajoute presqu'aucune chute de tension directe. Selon un mode de réalisation, une diode électroluminescente de AlInGaP comporte une couche inférieure de type n (16), une couche active (18), une couche supérieure de type p (22), et une couche GaP épaisse de type n (24) sur la couche supérieure de type p. La couche GaP épaisse est ensuite soumise à un procédé de gravure électrochimique qui rend la couche GaP de type n poreuse et à diffusion de lumière. Un contact électrique est réalisé à la couche GaP de type p sous la couche GaP poreuse de type n en fournissant des trous d'interconnexion remplis de métal à travers la couche poreuse, ou un contact électrique est réalisé à travers des régions non poreuses de la couche GaP entre des régions poreuses. La puce de diode électroluminescente peut être montée sur une embase avec la couche GaP poreuse de type n tournée vers la surface de l'embase. Les pores et la couche métallique réfléchissent et diffusent la lumière, permettant ainsi d'accroître le flux lumineux de la diode électroluminescente. L'invention concerne également d'autres modes de réalisation de la structure de la diode électroluminescente.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)