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1. (WO2008116883) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR À CAPTEUR À EFFET HALL INTÉGRÉ

Pub. No.:    WO/2008/116883    International Application No.:    PCT/EP2008/053572
Publication Date: 2 oct. 2008 International Filing Date: 26 mars 2008
IPC: H01L 27/22
H01L 43/06
Applicants: X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG
UHLIG, Thomas
FÜRNHAMMER, Felix
ELLMERS, Christoph
Inventors: UHLIG, Thomas
FÜRNHAMMER, Felix
ELLMERS, Christoph
Title: COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR À CAPTEUR À EFFET HALL INTÉGRÉ
Abstract:
Un composant semi-conducteur à circuit intégré sur un substrat semi-conducteur présente, dans une première région active, un capteur à effet Hall et, dans une seconde région active, un transistor MOS haute tension latéral. Le composant semi-conducteur selon l'invention est caractérisé en ce que la structure du capteur à effet Hall intégré est très similaire à la structure d'un transistor DMOS haute tension. Le capteur à effet Hall intégré est similaire, pour ce qui est de certains éléments de structure, à un transistor DMOS haute tension doté d'une structure double RESURF connu en soi. Les contacts de commande du capteur à effet Hall correspondent aux contacts source et drain du transistor DMOS haute tension. Le composant semi-conducteur selon l'invention permet ainsi une simplification de l'intégration du processus.