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1. (WO2008116439) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE PUCE À DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE, ET PUCE À DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE CORRESPONDANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/116439    N° de la demande internationale :    PCT/DE2008/000403
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 06.03.2008
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4, 93055 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
ALBRECHT, Tony [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FISCHER, Helmut [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WEININGER, Irene [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : ALBRECHT, Tony; (DE).
FISCHER, Helmut; (DE).
WEININGER, Irene; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2007 014 374.7 26.03.2007 DE
10 2007 018 837.6 20.04.2007 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LUMINESZENZDIODENCHIPS UND LUMINESZENZDIODENCHIP
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF A LUMINESCENCE DIODE CHIP AND LUMINESCENCE DIODE CHIP
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE PUCE À DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE, ET PUCE À DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE CORRESPONDANTE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zum Herstellen mindestens eines Lumineszenzdiodenchips (1) angegeben, der mit einem Lumineszenzkonversionsmaterial (2) versehen ist, das mindestens eine Leuchtstoff (22) aufweist. Ein Grundkörper (4) wird bereitgestellt, der eine Schichtenfolge für den Lumineszenzdiodenchip (1) aufweist, die geeignet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Auf zumindest einer Hauptfläche des Grundkörpers (41) wird eine Deckschicht (21) aufgebracht. Gemäß einer vorgestellten Ausführungsform ist die Deckschicht (21) photostrukturierbar. In die Deckschicht (21) wird mindestens eine Kavität (31, 32) eingebracht. Es wird mindestens ein Leuchtstoff (22) auf die Deckschicht (21) aufgebracht und eine Haftung zwischen zumindest einem Teil des Leuchtstoffs (22) und der Deckschicht (21) ausgebildet oder verstärkt. Zudem wird ein mit dem Verfahren hergestellter Lumineszenzdiodenchip (1) angegeben.
(EN)The invention relates to a method for the production of at least one luminescence diode chip (1), which is provided with a luminescence conversion material (2) comprising at least one luminophore (22). A base body (4) is provided, comprising a layer sequence for the luminescence diode chip (1), the sequence being suitable for emitting electromagnetic radiation. A cover layer (21) is applied to at least one main surface of the base body (41). According to a proposed embodiment, the cover layer (21) can be photostructured. At least one cavity (31, 32) is inserted in the cover layer (21). At least one luminophore (22) is applied to the cover layer (21) and adherence between at least one part of the luminophore (22) and the cover layer (21) is provided or increased. Additionally, a luminescence diode chip (1) produced with said method is provided.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'au moins une puce à diode électroluminescente (1) comportant un matériau de conversion de luminescence (2) qui présente au moins une substance luminescente (22). Il est prévu un corps de base (4) présentant une série de couches pour la puce à diode électroluminescente (1), appropriées pour émettre un rayonnement électromagnétique. Une couche de recouvrement (21) est appliquée sur au moins une face principale du corps de base (41). Conformément à une forme d'exécution décrite, la couche de recouvrement (21) peut être photostructurée. Au moins une cavité (31, 32) est ménagée dans la couche de recouvrement (21). Au moins une substance luminescente (22) est appliquée sur la couche de recouvrement (21), et un point d'attache est formé ou renforcé entre au moins une partie de la substance luminescente (22) et la couche de recouvrement (21). L'invention concerne en outre une puce à diode électroluminescente (1) fabriquée suivant le procédé précité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)