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1. WO2008103994 - SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE SURVEILLANCE DE FABRICATION DE TRANCHE, AVEC TRAITEMENT DE RETRAIT DU BOURRELET DE BORDURE

Lien permanent
Numéro de publication WO/2008/103994
Date de publication 28.08.2008
N° de la demande internationale PCT/US2008/054913
Date du dépôt international 25.02.2008
CIB
H01L 21/461 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
46Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428161
461pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
G01N 2021/8841
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
8806Specially adapted optical and illumination features
8841Illumination and detection on two sides of object
G01N 21/9501
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
9501Semiconductor wafers
G01N 21/9503
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
9501Semiconductor wafers
9503Wafer edge inspection
G01R 31/2831
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
282Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
2831Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
G01R 31/303
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
302Contactless testing
303of integrated circuits
G06T 2207/30148
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
2207Indexing scheme for image analysis or image enhancement
30Subject of image; Context of image processing
30108Industrial image inspection
30148Semiconductor; IC; Wafer
Déposants
  • RUDOLPH TECHNOLOGIES, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • CARLSON, Alan [US]/[US] (UsOnly)
  • PAI, Ajay [US]/[US] (UsOnly)
  • LE, Tuan D. [US]/[US] (UsOnly)
  • PHILIP, Antony Ravi [IN]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • CARLSON, Alan
  • PAI, Ajay
  • LE, Tuan D.
  • PHILIP, Antony Ravi
Mandataires
  • CZAJA, Timothy A.
Données relatives à la priorité
60/891,28923.02.2007US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) WAFER FABRICATION MONITORING SYSTEMS AND METHODS, INCLUDING EDGE BEAD REMOVAL PROCESSING
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE SURVEILLANCE DE FABRICATION DE TRANCHE, AVEC TRAITEMENT DE RETRAIT DU BOURRELET DE BORDURE
front page image
Abrégé
(EN)
Systems and method for monitoring semiconductor wafer fabrication processing, for example based upon EBR line inspection, including capturing at least one image of a wafer at an intermediate stage of fabrication. The captured image(s) are compressed to generate a composite representation of at least an edge zone of the wafer. An edge bead removal area is identified in the representation, and at least one feature attribute is extracted from the identified area. The extracted feature attribute is automatically assessed, and information relating to a status of the fabrication processing in generated based upon the assessment. For example, recommended modifications to the fabrication processing, either upstream or downstream of the current stage of fabrication (or both) can be generated and implemented.
(FR)
La présente invention concerne des systèmes et procédés de surveillance de fabrication de tranche semiconductrice, basée par exemple sur une inspection de ligne EBR, y compris la capture d'au moins une image de tranche à une étape de fabrication intermédiaire. La ou les images capturées sont compressées pour générer une représentation composite d'au moins une zone de bord de la tranche. Une aire de retrait de bourrelet de bordure est identifiée dans la représentation, et au moins un attribut de fonction est extrait de cette aire identifiée. L'attribut de fonction extrait est évalué automatiquement, et l'information sur le statut du processus de fabrication est générée sur la base de cette évaluation. Les modifications du procédé de fabrication recommandées, par exemple, en amont ou en aval de l'étape en cours de fabrication (ou les deux), peuvent être générées et mises en place.
Également publié en tant que
JP2010519772
SG154870
US20110054659
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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