(EN) Systems and method for monitoring semiconductor wafer fabrication processing, for example based upon EBR line inspection, including capturing at least one image of a wafer at an intermediate stage of fabrication. The captured image(s) are compressed to generate a composite representation of at least an edge zone of the wafer. An edge bead removal area is identified in the representation, and at least one feature attribute is extracted from the identified area. The extracted feature attribute is automatically assessed, and information relating to a status of the fabrication processing in generated based upon the assessment. For example, recommended modifications to the fabrication processing, either upstream or downstream of the current stage of fabrication (or both) can be generated and implemented.
(FR) La présente invention concerne des systèmes et procédés de surveillance de fabrication de tranche semiconductrice, basée par exemple sur une inspection de ligne EBR, y compris la capture d'au moins une image de tranche à une étape de fabrication intermédiaire. La ou les images capturées sont compressées pour générer une représentation composite d'au moins une zone de bord de la tranche. Une aire de retrait de bourrelet de bordure est identifiée dans la représentation, et au moins un attribut de fonction est extrait de cette aire identifiée. L'attribut de fonction extrait est évalué automatiquement, et l'information sur le statut du processus de fabrication est générée sur la base de cette évaluation. Les modifications du procédé de fabrication recommandées, par exemple, en amont ou en aval de l'étape en cours de fabrication (ou les deux), peuvent être générées et mises en place.