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1. (WO2008092135) MACHINE D'USINAGE PAR ÉLECTRO-ÉROSION MULTIFILAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/092135    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/052133
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 25.01.2008
CIB :
B23K 9/14 (2006.01), B23H 9/00 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF UTAH RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 615 Arapeen Drive, Suite 310, Salt Lake City, UT 84108 (US) (Tous Sauf US).
BAMBERG, Eberhard [US/US]; (US) (US Seulement).
RAKWAL, Dinesh, R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BAMBERG, Eberhard; (US).
RAKWAL, Dinesh, R.; (US)
Mandataire : CHAKRABARTI, Manisha; 3108 South Route. 59, Suite 124-282, Naperville, IL 60564 (US)
Données relatives à la priorité :
60/886,650 25.01.2007 US
Titre (EN) MULTI-WIRE ELECTRON DISCHARGE MACHINE
(FR) MACHINE D'USINAGE PAR ÉLECTRO-ÉROSION MULTIFILAIRE
Abrégé : front page image
(EN)A multi-wire electron discharge machine includes a first wire electrode for creating an electrical discharge between the first electrode wire and a semiconductor ingot, a second wire electrode for creating an electrical discharge between the second electrode wire and the semiconductor ingot, and a wire guide for maintaining the first wire electrode in a spaced apart and generally parallel orientation with respect to the second wire electrode across a semiconductor ingot slicing area.
(FR)La présente invention concerne une machine d'usinage par électro-érosion multifilaire comprenant un premier fil-électrode conçu pour créer une décharge électrique entre le premier fil-électrode et un lingot de matériau semi-conducteur, un second fil-électrode conçu pour créer une décharge électrique entre le second fil-électrode et le lingot de matériau semi-conducteur, ainsi qu'un guide-fil conçu pour maintenir le premier fil-électrode éloigné du second fil-électrode, de manière généralement parallèle à celui-ci, sur une zone de découpe de lingot de matériau semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)