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1. (WO2008092004) CIRCUIT MOSFET À MODE D'APPAUVRISSEMENT ET APPLICATIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/092004    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/051913
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 24.01.2008
CIB :
H01L 27/088 (2006.01)
Déposants : KEYSTONE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 809 N. Bethlehem Pike, #c6; P.O. Box 248, Spring House, PA 19477 (US) (Tous Sauf US).
LIN, Wen, T. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIN, Wen, T.; (US)
Mandataire : ROSSER, Roy, J.; Synnestvedt & Lechner LLP P.O. Box 592 Princeton, NJ 08542 (US)
Données relatives à la priorité :
60/886,363 24.01.2007 US
Titre (EN) DEPLETION-MODE MOSFET CIRCUITS AND APPLICATIONS
(FR) CIRCUIT MOSFET À MODE D'APPAUVRISSEMENT ET APPLICATIONS
Abrégé : front page image
(EN)Positive logic circuits, systems and methods using MOSFETs operated in a depletion-mode, including electrostatic discharge protection circuits (ESD), non-inverting latches and buffers, and one-to-three transistor static random access memory cells. These novel circuits supplement enhancement-mode MOSFET technology and are also intended to improve the reliability of the complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) integrated circuit (IC) products.
(FR)L'invention concerne des circuits de logique positive, des systèmes et des procédés utilisant des MOSFET fonctionnant dans un mode d'appauvrissement, notamment des circuits de protection contre la décharge électrostatique (ESD), des verrous et des tampons non inverseurs, ainsi que des cellules de mémoire vive statique présentant de un à trois transistors. Lesdits nouveaux circuits s'ajoutent à la technologie MOSFET à mode d'enrichissement et sont également conçus pour améliorer la fiabilité des produits de circuits intégrés (CI) à semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire (CMOS).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)