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1. (WO2008091972) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE INTERFACIALE À SUPER-RÉSEAU MÉTAL SUR SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/091972    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/051852
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 24.01.2008
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/165 (2006.01), H01L 29/15 (2006.01)
Déposants : MEARS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 1100 Winter Street, Suite 4700, Waltham, Massachusetts 02451 (US) (Tous Sauf US).
RAO, Kalipatnam Vivek [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RAO, Kalipatnam Vivek; (US)
Mandataire : REGAN, Christopher, F.; 255 South Orange Avenue, Suite 1401, P.O. Box 3791, Orlando, FL 32802-3791 (US)
Données relatives à la priorité :
60/886,528 25.01.2007 US
12/018,255 23.01.2008 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A METAL-TO-SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE INTERFACE LAYER AND RELATED METHODS
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE INTERFACIALE À SUPER-RÉSEAU MÉTAL SUR SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device which may include a semiconductor layer, and a superlattice interface layer therebetween. The superlattice interface layer may include a plurality of stacked groups of layers. Each group of layers may include a plurality of stacked base semiconductor monolayers defining a base semiconductor portion, and at least one non-semiconductor monolayer constrained within a crystal lattice of adjacent base semiconductor portions. At least some atoms from opposing base semiconductor portions may be chemically bound together with the chemical bonds traversing the at least one intervening non-semiconductor monolayer.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur qui peut comprendre une couche semi-conductrice, une couche métallique et une couche interfaciale à super-réseau placée entre lesdites couches. La couche interfaciale à super-réseau peut comprendre une pluralité de groupes de couches empilés. Chaque groupe de couches peut contenir une pluralité de monocouches semi-conductrices de base empilées, qui définissent une partie semi-conductrice de base, et au moins une monocouche non semi-conductrice confinée à l'intérieur d'un réseau cristallin de parties semi-conductrices de base adjacentes. Au moins certains atomes issus des parties semi-conductrices de base opposées peuvent être liés chimiquement les uns aux autres à l'aide des liaisons chimiques qui traversent la ou les monocouches semi-conductrices intermédiaires.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)