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1. (WO2008091910) PLAQUETTES COMPOSITES COMPORTANT DES COUCHES SEMI-CONDUCTRICES DE QUALITÉ MASSIVE ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/091910    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/051733
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 22.01.2008
CIB :
C30B 25/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : GROUP4 LABS, LLC [US/US]; 1600 Adams Drive, Suite 112, Menlo Park, CA 94025 (US) (Tous Sauf US).
FRANCIS, Daniel [US/US]; (US) (US Seulement).
EJECKAM, Felix [US/US]; (US) (US Seulement).
WASSERBAUER, John [US/US]; (US) (US Seulement).
FAILI, Firooz [US/US]; (US) (US Seulement).
BABIC, Dubravko [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FRANCIS, Daniel; (US).
EJECKAM, Felix; (US).
WASSERBAUER, John; (US).
FAILI, Firooz; (US).
BABIC, Dubravko; (US)
Mandataire : JAFFER, David, H.; Pillsbury Winthrop Shaw Pittman LLP, Intellectual Property Group, P.O. Box 10500, McLean, VA 22102 (US)
Données relatives à la priorité :
60/881,951 22.01.2007 US
Titre (EN) COMPOSITE WAFERS HAVING BULK-QUALITY SEMICONDUCTOR LAYERS
(FR) PLAQUETTES COMPOSITES COMPORTANT DES COUCHES SEMI-CONDUCTRICES DE QUALITÉ MASSIVE ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Method for producing composite wafers with thin high-quality semiconductor films atomically attached to synthetic diamond wafers is disclosed. Synthetic diamond substrates are created by depositing synthetic diamond onto a nucleating layer deposited on bulk semiconductor wafer which has been prepared to allow separation of the thin semiconductor film from the remaining bulk semiconductor wafer. The remaining semiconductor wafer is available for reuse. The synthetic diamond substrate serves as heat spreader and a mechanical substrate.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de plaquettes composites comportant de minces films semi-conducteurs de qualité élevée fixées de façon atomique à des plaquettes de diamant synthétique. Les substrats en diamant synthétiques sont créés par dépôt de diamant synthétique sur une couche de nucléation déposée sur une plaquette semi-conductrice massive qui a été préparée pour permettre la séparation du mince film semi-conducteur du reste de ladite plaquette. Le reste de ladite plaquette peut être réutilisé. Ledit substrat sert de dissipateur thermique et de substrat mécanique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)