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1. (WO2008091613) TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE AU PLASMA ET HYBRIDE MICRO-ONDE DE PLAQUETTES SEMI-CONDUCTRICES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/091613    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/000839
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 23.01.2008
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : BTU INTERNATIONAL, INC. [US/US]; 23 Esquire Road, North Billerica, MA 01862-2596 (US) (Tous Sauf US).
PEELAMEDU, Ramesh [IN/US]; (US) (US Seulement).
KUMAR, Satyendra [IN/US]; (US) (US Seulement).
KUMAR, Devendra [US/US]; (US) (US Seulement).
WONG, David, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
SECCOMBE, Donald, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
DEMCHAK, Michael [US/US]; (US) (US Seulement).
HESTER, Michael, K. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PEELAMEDU, Ramesh; (US).
KUMAR, Satyendra; (US).
KUMAR, Devendra; (US).
WONG, David, C.; (US).
SECCOMBE, Donald, A.; (US).
DEMCHAK, Michael; (US).
HESTER, Michael, K.; (US)
Mandataire : HJORTH, Beverly, E.; Weingarten, Schurgin, Gagnebin & Lebovici, LLP, Ten Post Office Square, Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
60/897,450 25.01.2007 US
Titre (EN) MICROWAVE HYBRID AND PLASMA RAPID THERMAL PROCESSING OF SEMICONDUCTOR WAFERS
(FR) TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE AU PLASMA ET HYBRIDE MICRO-ONDE DE PLAQUETTES SEMI-CONDUCTRICES
Abrégé : front page image
(EN)Microwave energy is used as a radiation source for rapid thermal processing of semiconductor wafers. In one aspect, a hybrid material formed from a microwave modulator material is used to provide temperature uniformity across the wafer and to avoid cracking or breaking of wafers due to the development of thermal stresses. In another aspect, microwave-generated atmospheric pressure plasma is used to heat the wafer either directly or indirectly.
(FR)L'invention concerne une énergie à micro-ondes utilisée comme source de rayonnement pour un traitement thermique rapide de plaquettes semi-conductrices. Sous un aspect, un matériau hybride formé à partir d'un matériau modulateur de micro-ondes est utilisé pour fournir une uniformité de température à travers la plaquette et éviter une craquelure ou une rupture des plaquettes du fait du développement de contraintes thermiques. Sous un autre aspect, un plasma sous pression atmosphérique produit par micro-ondes est utilisé pour chauffer la plaquette directement ou indirectement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)