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1. (WO2008091271) SYSTÈME ET PROCÉDÉ D'IMPLÉMENTATION DE CHAMPS RF ÉQUILIBRÉS DANS UN DISPOSITIF DE PIÈGE À IONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/091271    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/012003
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 18.05.2007
CIB :
H01J 49/42 (2006.01)
Déposants : THERMO FINNIGAN LLC [US/US]; 355 River Oaks Parkway, San Jose, CA 95134 (US) (Tous Sauf US).
SENKO, Michael, W. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SENKO, Michael, W.; (US)
Mandataire : UPHAM, Sharon; Thermo Fisher Scientific Inc., 355 River Oaks Parkway, San Jose, CA 95134 (US)
Données relatives à la priorité :
11/437,038 19.05.2006 US
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR IMPLEMENTING BALANCED RF FIELDS IN AN ION TRAP DEVICE
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ D'IMPLÉMENTATION DE CHAMPS RF ÉQUILIBRÉS DANS UN DISPOSITIF DE PIÈGE À IONS
Abrégé : front page image
(EN)A system and method are disclosed for effectively compensating for non-linear field components created by a field distortion feature in a quadrupolar ion trap, compensation provided by a geometric surface shaping which reduces the non-linear field components and creates a minimal centerline radio-frequency potential in the ion trap. The ion trap includes a centerline that passes longitudinally through a trapping volume inside of the ion trap, a pair of Y electrodes with inner Y electrode surfaces that are approximately parallel to the centerline, and a pair of X electrodes with inner X electrode surfaces that are approximately parallel to the centerline. The X electrodes have one or more ejection slots through which trapped ions are ejected from said ion trap. The inner Y electrode surfaces each have a Y radius of curvature, and the inner X electrode surfaces each have an X radius of curvature. The X radius of curvature is selected to be smaller than the Y radius of curvature. A balanced centerline potential is provided at the centerline of the ion trap.
(FR)La présente invention concerne un système et un procédé pour compenser de manière effective pour des composants de champ non linéaires créés par une fonction de déformation de champ dans un piège à ions quadripolaire, la compensation étant fournie par la formation d'une surface géométrique qui réduit les composants de champs non linéaires et crée le potentiel de radiofréquence de ligne centrale minimale dans ce piège. Le piège comprend une ligne centrale qui passe longitudinalement par un volume de piège à l'intérieur du piège, une paire d'électrodes Y avec des surfaces d'électrodes intérieures Y qui sont approximativement parallèles à la ligne centrale et une paire d'électrodes X avec des surfaces d'électrode internes X qui sont approximativement parallèles à la ligne centrale. Les électrodes X ont au moins un emplacement d'éjection par lequel les ions piégés sont éjectés du piège. Les surfaces d'électrodes Y intérieures ont chacune un rayon Y de courbure et les surfaces d'électrodes intérieures X ont chacune un rayon X de courbure. Le rayon X de courbure est sélectionné pour être plus petit que le rayon Y correspondant. Un potentiel de ligne centrale équilibré est fourni au niveau de la ligne centrale du piège à ions.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)