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1. (WO2008091269) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR À PUISSANCE DE SUPER JONCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/091269    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/009038
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 13.04.2007
CIB :
H01L 29/76 (2006.01)
Déposants : SILICONIX TECHNOLOGY C.V. [SG/SG]; 25 Tampines Street 92, Keppel Building #2-00, Singapore 528877 (SG) (Tous Sauf US).
KINZER, Daniel, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KINZER, Daniel, M.; (US)
Mandataire : POPA, Robert; Ladas & Parry LLP, 5670 Wilshire Boulevard, Suite 2100, Los Angeles, CA 90036-5679 (US)
Données relatives à la priorité :
11/657,150 24.01.2007 US
Titre (EN) SUPERJUNCTION POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR À PUISSANCE DE SUPER JONCTION
Abrégé : front page image
(EN)A superjunction power semiconductor device which includes trenched.gates (16, Fig. 1) and spaced drift regions (32) each extending from the bottom of a respective gate trench (14) to a substrate (10) functioning as drain, and extending along a portion of sidewalls of gate trench (14).
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur à puissance de super jonction qui comprend des zones de dérive espacées qui s'étendent depuis le fond d'une tranchée de grille jusqu'au substrat du dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)