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1. (WO2008091254) CIRCUIT DE PROTECTION POUR MODULE DE TRANSPOSITION EN FRÉQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/091254    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/001889
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 25.01.2007
CIB :
H04B 1/18 (2006.01), H04M 3/18 (2006.01), H02H 9/04 (2006.01)
Déposants : THOMSON LICENSING [FR/FR]; 46, Quai A. Le Gallo, F-92100 Boulogne-Billancourt (FR) (Tous Sauf US).
FITZPATRICK, John, James [US/US]; (US) (US Seulement).
XIU, Lincheng [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FITZPATRICK, John, James; (US).
XIU, Lincheng; (US)
Mandataire : LAKS, Joseph, J.; Thomson Licensing LLC, Two Independence Way, Suite 200, Princeton, New Jersey 08540 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FREQUENCY TRANSLATION MODULE PROTECTION CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE PROTECTION POUR MODULE DE TRANSPOSITION EN FRÉQUENCE
Abrégé : front page image
(EN)An architecture for protecting circuitry used for signal communications between a frequency translation module (20) and a decoder (60) from transient voltage surges. According to an exemplary embodiment, the apparatus comprises a first signal path between a transmission line and a first reference potential for conducting negative voltage surges between said transmission line and said first reference potential, comprising a first diode and a first clamping diode, wherein a second reference potential is coupled to a junction of the first diode and the first clamping diode, and a second signal path between the transmission line and the first reference potential, comprising a second diode and a second clamping diode for conducting positive voltage surges between said transmission line and said first reference potential, wherein a second reference potential is coupled to a junction of the second diode and the second clamping diode.
(FR)Cette invention concerne une architecture permettant de protéger un montage de circuits utilisé pour la transmission de signaux entre un module de transposition en fréquence (20) et un décodeur (60) contre des surtensions momentanées. Selon un mode de réalisation cité à titre d'exemple, l'appareil comprend un premier trajet de signaux entre une ligne de transmission et un premier potentiel de référence pour acheminer des surtensions négatives entre la ligne de transmission et le potentiel de référence; ce trajet comprend une première diode et une première diode de niveau; un second potentiel de référence étant couplé à une jonction de la première diode et de la première diode de niveau. L'appareil comprend également un second trajet de signaux entre la ligne de transmission et le premier potentiel de référence; ce trajet comprend une seconde diode et une seconde diode de niveau pour acheminer des surtensions positives entre la ligne de transmission et le premier potentiel de référence, le second potentiel de référence étant couplé à une jonction de la seconde diode et de la seconde diode de niveau.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)