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1. (WO2008091220) ISOLATION DE TRANCHÉE POUR OBTENIR UNE DIAPHONIE RÉDUITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/091220    N° de la demande internationale :    PCT/SE2008/050092
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 25.01.2008
CIB :
H01L 21/76 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 25/04 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Déposants : SILEX MICROSYSTEMS AB [SE/SE]; Box 595, S-175 26 Järfälla (SE) (Tous Sauf US).
EBEFORS, Thorbjörn [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
BAUER, Tomas [SE/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : EBEFORS, Thorbjörn; (SE).
BAUER, Tomas; (SE)
Mandataire : BRANN AB; Box 1344, S-751 43 Uppsala (SE)
Données relatives à la priorité :
0700172-0 25.01.2007 SE
Titre (EN) TRENCH ISOLATION FOR REDUCED CROSS TALK
(FR) ISOLATION DE TRANCHÉE POUR OBTENIR UNE DIAPHONIE RÉDUITE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a starting substrate in the form of a semiconductor wafer (1) having a first side and a second side, said sides being plane-parallel with respect to each other, and having a thickness rendering it suitable for processing without significant risk of being damaged, for the fabrication of combined analogue and digital designs the wafer comprising at least two partitions (A1, A2; DIGITAL, ANALOGUE) electrically insulated from each other by means of insulating material (2; 38; 81; L) extending entirely through the wafer. It also relates to a method for making such substrates comprising etching trenches in a wafer, and filling trenches with insulating material.
(FR)Cette invention concerne un substrat de départ présentant la forme d'une plaquette semi-conductrice (1) pourvue d'un premier côté et d'un second côté, lesquels côtés ont des faces parallèles les unes aux autres, et ils présentent une épaisseur suffisante pour permettre un traitement sans risque significatif de détérioration, pour la fabrication de conceptions mixtes analogiques-numériques. La plaquette présente au moins deux séparations (A1, A2; NUMÉRIQUE, ANALOGIQUE) électriquement isolées l'une de l'autre par un matériau isolant (2; 38; 81; L) qui s'étend sur toute la plaquette. Cette invention concerne également un procédé permettant de fabriquer de tels substrats, lequel procédé consiste à graver des tranchées dans une plaquette puis à remplir ces tranchées avec un matériau isolant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)