WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008090995) INDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/090995    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/051134
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 21.01.2008
CIB :
H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Déposants : NEC Corporation [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
TANABE, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TANABE, Akira; (JP)
Mandataire : IKEDA, Noriyasu; Hibiya Daibiru Bldg. 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-014061 24.01.2007 JP
Titre (EN) INDUCTOR
(FR) INDUCTEUR
(JA) インダクタ
Abrégé : front page image
(EN)It is possible to reduce a parasitic capacitance between an upper and a lower adjacent wire of an inductor using multi-layer wiring in an insulating film formed on a base. The inductor includes a single go round wire (A-B or B-C) formed in each of at least two adjacent wiring layers among a plurality of wiring layers (18) arranged in the insulating film (17) on the base (16). The single go round wires (A-B and B-C) formed in the at least two wiring layers have first ends (B) mutually connected by a via (2). The single go round wires (A-B and B-C) formed in the at least two wiring layers are arranged substantially at the same position in the base when viewed from above the base.
(FR)Il est possible de réduire une capacité parasite entre les fils adjacents supérieur et inférieur d'un inducteur à l'aide d'un câblage multicouche dans un film isolant formé sur une base. L'inducteur comporte un fil périphérique unique (A-B ou B-C) formé dans chacune d'au moins deux couches de câblage adjacentes parmi une pluralité de couches de câblage (18) disposées dans le film isolant (17) sur la base (16). Les fils périphériques uniques (A-B et B-C) formés dans les au moins deux couches de câblage présentent des premières extrémités (B) mutuellement connectées par un trou d'interconnexion (2). Les fils périphériques uniques (A-B et B-C) formés dans les au moins deux couches de câblage sont disposés sensiblement à la même position dans la base lorsqu'ils sont visualisés par en-dessus de la base.
(JA) 基体上に形成された絶縁膜中の多層配線層を用いたインダクタの、上下隣接配線間の寄生容量を低減する。 基体16上の絶縁膜17中に配設された複数の配線層18のうち、隣接する少なくとも2つの配線層の各々に形成された一周回の周回配線(A-B又はB-C)を有し、前記少なくとも2つの配線層に形成された前記一周回の周回配線(A-B及びB-C)の一端(B)は相互にビア2で接続され、前記少なくとも2つの配線層に形成された前記一周回の周回配線(A-B及びB-C)は、基体上方から見て基体面内で実質的に同一位置に配設されることを特徴とするインダクタ。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)