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1. (WO2008090963) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM DE CHALCOGÉNURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT D'ENREGISTREMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/090963    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/051001
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 24.01.2008
CIB :
H01L 27/105 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : ULVAC, Inc. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
KIKUCHI, Shin [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIOKA, Yutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIMURA, Isao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
JIMBO, Takehito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUU, Koukou [CN/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIKUCHI, Shin; (JP).
NISHIOKA, Yutaka; (JP).
KIMURA, Isao; (JP).
JIMBO, Takehito; (JP).
SUU, Koukou; (JP)
Mandataire : SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-015059 25.01.2007 JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING CHALCOGENIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING RECORDING ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM DE CHALCOGÉNURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT D'ENREGISTREMENT
(JA) カルコゲナイド膜の形成方法及び記録素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a method for forming a chalcogenide film within a contact hole formed in an insulating layer on a substrate. The method comprises the step of providing a target having the same composition as the chalcogenide film, the step of setting an L/T ratio to not less than 0.5 and not more than 1.5, wherein T represents the diameter of the target, m, L represents the distance between the target and the substrate, m, and the step of forming a chalcogenide film within the contact hole by a sputtering process wherein a bias electric power is applied to the substrate to apply a sputtering electric power to the target.
(FR)Cette invention concerne un procédé de formation d'un film de chalcogénure dans un trou de contact formé dans une couche isolante sur un substrat. Le procédé comporte les étapes consistant à se procurer une cible de même composition que le film de chalcogénure ; à régler un rapport L/T situé entre 0,5 et 1,5, T représentant le diamètre de la cible, m ; L représentant la distance entre la cible, m et le substrat ; et l'étape consistant à former un film de chalcogénure dans un trou de contact par pulvérisation cathodique dans laquelle une puissance électrique d'excitation est appliquée au substrat pour appliquer une puissance électrique de pulvérisation cathodique à la cible.
(JA) 基板上の絶縁層に形成されたコンタクトホール内にカルコゲナイド膜を形成する方法であって、前記カルコゲナイド膜と同一組成のターゲットを準備する段階と、前記ターゲットの直径をT(m)、前記ターゲットと前記基板との間の距離をL(m)とした場合に、前記距離Lと前記ターゲットの直径Tとの比L/Tを、0.5以上かつ1.5以下に設定する段階と、前記基板にバイアス電力を印加し、前記ターゲットにスパッタリング電力を印加するスパッタリング工程により、前記コンタクトホール内にカルコゲナイド膜を形成する段階と、を含む、カルコゲナイド膜の形成方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)