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1. (WO2008090921) MIROIR DE BALAYAGE OPTIQUE, STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER CEUX-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/090921    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/050890
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 23.01.2008
CIB :
G02B 26/08 (2006.01), G02B 26/10 (2006.01), H04N 1/036 (2006.01)
Déposants : PANASONIC ELECTRIC WORKS CO., LTD. [JP/JP]; 1048, Oaza-Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718686 (JP) (Tous Sauf US).
HAGIHARA, Yousuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWANO, Kiyohiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NOGE, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAGIHARA, Yousuke; (JP).
KAWANO, Kiyohiko; (JP).
NOGE, Hiroshi; (JP)
Mandataire : ITAYA, Yasuo; Tokushima Bldg. 7F, 9-10, Minamisemba 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5420081 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-015970 26.01.2007 JP
2007-015980 26.01.2007 JP
Titre (EN) OPTICAL SCANNING MIRROR, SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
(FR) MIROIR DE BALAYAGE OPTIQUE, STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER CEUX-CI
(JA) 光走査ミラーと、半導体構造及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor structure provided with an insulation/isolation structure in a movable portion is fabricated easily. An optical scanning mirror (semiconductor structure) (1) is formed by machining an SOI substrate (100) consisting of a first silicon layer (100a), an oxide film (120), and a second silicon layer (100b). A movable portion (50) supported on a fixed frame (4) through a first hinge (5) is formed on the first silicon layer (100a). The movable portion (50) is divided into a plurality of parts by forming a trench (insulation/isolation structure) (101a). A support (9) consisting of the oxide film (120) and the second silicon layer (100b) is formed below the trench (101a). A plurality of parts of a movable frame (3) divided by the trench (101a) are bonded to the support (9), and the movable portion (50) can oscillate integrally with the support (9). Consequently, mechanical strength of the movable portion (50) can be ensured by forming the support (9) through a fabrication process employing simple etching.
(FR)Une structure semi-conductrice dotée d'une structure d'isolation/isolement dans une partie mobile est fabriquée de manière aisée. Un miroir de balayage optique (structure semi-conductrice) (1) est formé par usinage d'un substrat SOI (100) consistant en une première couche de silicium (100a), un film d'oxyde (120) et une seconde couche de silicium (100b). Une partie mobile (50) supportée sur un cadre fixe (4) par une première articulation (5) est formée sur la première couche de silicium (100a). La partie mobile (50) est divisée en une pluralité de parties par formation d'une tranchée (structure d'isolation/isolement) (101a). Un support (9) consistant en le film d'oxyde (120) et la seconde couche de silicium (100b) est formé au-dessous de la tranchée (101a). Une pluralité de parties d'un cadre mobile (3) divisé par la tranchée (101a) sont liées au support (9), et la partie mobile (50) peut osciller d'un seul tenant avec le support (9). En conséquence, la résistance mécanique de la partie mobile (50) peut être assurée par formation du support (9) à travers un procédé de fabrication employant une simple gravure.
(JA) 可動部中に絶縁分離構造を設けた半導体構造を容易に製造可能にする。光走査ミラー(半導体構造)1は、第1シリコン層100a、酸化膜120、第2シリコン層100bから成るSOI基板100を加工することにより形成されている。第1シリコン層100aには、固定フレーム4に第1ヒンジ5を介して支持された可動部50が形成されている。可動部50は、トレンチ(絶縁分離構造)101aが形成されることにより複数の部位に分かれている。トレンチ101aの下方に、酸化膜120及び第2シリコン層100bから成る支持体9が形成されている。支持体9にはトレンチ101aにより分割された可動フレーム3の複数の部位が接合されており、可動部50は支持体9と一体に揺動可能である。これにより、簡易なエッチングによる製造工程により支持体9を形成し、可動部50の機械的強度を確保可能である。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)