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1. (WO2008090864) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM ET SUBSTRAT DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/090864    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/050762
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 22.01.2008
CIB :
C01B 33/02 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
KOJIMA, Gen [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOKOYAMA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYASHI, Yutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOJIMA, Gen; (JP).
YOKOYAMA, Hiroshi; (JP).
HAYASHI, Yutaka; (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-014629 25.01.2007 JP
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SUBSTRATE, AND SILICON SUBSTRATE
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM ET SUBSTRAT DE SILICIUM
(JA) シリコン基板の製造装置、製造方法及びシリコン基板
Abrégé : front page image
(EN)Provided are an apparatus and a method for efficiently manufacturing a flat and large-area polycrystalline thin board shaped silicon substrate having less undesirable mixed impurity and defects and a composite silicon substrate having a surface oxide film or the like. In a forming zone where a silicon ribbon (12) is manufactured from molten silicon under an inactive gaseous atmosphere, a forming belt conveyer (forming bed) (5) composed of a base material (11) is arranged. The base material is supplied with molten silicon (2) from a crucible furnace through a revolving roll (3) which adjusts the molten silicon into a state suitable for forming. The base material (11) is provided with a plurality of gas blow out ports and gas discharge ports for blowing and discharging a gas for a silicon ribbon (4) being formed from the molten silicon (2) from below the silicon ribbon. While stably holding the formed silicon ribbon (4) on the gas by the dynamic pressure balanced state of the gas being blown and the gas being discharged, and while forming a film on a silicon surface from a reactive material and the like contained in the gas, tensile stress is applied in a direction parallel to the surface of the formed silicon ribbon (4) and a silicon ribbon (12) is formed.
(FR)L'invention porte sur un appareil et un procédé pour fabriquer de façon efficace un substrat de silicium en forme de plaque mince polycristalline à surface plate et importante ayant moins d'impureté mélangée indésirable et de défauts, et sur un substrat de silicium composite ayant un film d'oxyde superficiel ou similaire. Dans une zone de formation où un ruban de silicium (2) est fabriqué à partir de silicium fondu sous une atmosphère gazeuse inactive, un transporteur à courroie de formage (lit de formage) (5) composé d'un matériau de base (11) est disposé. Le matériau de base est alimenté par un silicium fondu (2) à partir d'un four à creuset par l'intermédiaire d'un rouleau tournant (3) qui permet d'ajuster le silicium fondu dans un état approprié pour le formage. Le matériau de base (11) est doté d'une pluralité d'orifices d'insufflation de gaz et d'orifices de décharge de gaz pour insuffler et décharger un gaz pour un ruban de silicium (4) qui est formé à partir du silicium fondu (2) par le dessous du ruban de silicium. Tout en maintenant de façon stable le ruban de silicium formé (4) sur le gaz par l'état équilibré de pression dynamique du gaz qui est insufflé et du gaz qui est déchargé, et tout en formant un film sur une surface de silicium à partir d'une matière réactive et similaire contenue dans le gaz, une contrainte de traction est appliquée dans une direction parallèle à la surface du ruban de silicium formé (4) et un ruban de silicium (12) est formé.
(JA) 好ましくない不純物混入や欠陥の少ない、平坦な、大面積の多結晶薄板状シリコン基板並びに表面酸化物被膜等を有する複合シリコン基板を効率的に生産する製造装置、製造方法および製品を実現する。  溶融シリコンから不活性な気体雰囲気下においてシリコンリボン12を製造する成形ゾーンにおいて、坩堝炉から溶融シリコン2が、該熔融シリコンを成形に適した状態に調整する回転ロール3を介して、供給される基材11から成る成形用ベルトコンベア(成形ベッド)5が配置され、基材11は、溶融シリコン2から成形されてゆく成形シリコンリボン4に対して、その下方からそれぞれ気体を噴出し、排出する複数の気体噴出孔及び気体排出孔を有しており、これらの噴出される気体と排出される気体の両者の動的圧力均衡状態によって気体上に成形シリコンリボン4を安定して保持しつつ、シリコン表面に気体中に含まれる反応性物質等によって被膜を形成させながら成形シリコンリボン4の面と平行方向に引っ張り応力をかけ、シリコンリボン12を成形する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)