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1. (WO2008090814) NANOPARTICULE DE SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE CŒUR/ÉCORCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/090814    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/050591
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 18.01.2008
CIB :
C09K 11/08 (2006.01), B82B 1/00 (2006.01), C09K 11/59 (2006.01)
Déposants : Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. [JP/JP]; 1, Sakura-machi, Hino-shi, Tokyo 1918511 (JP) (Tous Sauf US).
GOAN, Kazuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FURUSAWA, Naoko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSUKADA, Kazuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : GOAN, Kazuyoshi; (JP).
FURUSAWA, Naoko; (JP).
TSUKADA, Kazuya; (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-011187 22.01.2007 JP
Titre (EN) CORE/SHELL-TYPE SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) NANOPARTICULE DE SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE CŒUR/ÉCORCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) コア/シェル型半導体ナノ粒子とその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a core/shell-type semiconductor nanoparticle which has a sufficient luminous intensity and causes no flicker phenomenon (blinking). The core/shell-type semiconductor nanoparticle has an average particle size of 2 to 50 nm, and has an intermediate layer between the core part and the shell part. The ranking of band gap widths among bulk crystals respectively having the same compositions as those of the core part, the shell part and the intermediate layer is as follows: [the band gap width of a bulk crystal having the same composition as that of the core part]<[the band gap width of a bulk crystal having the same composition as that of the shell part]<[the band gap width of a bulk crystal having the same composition as that of the intermediate layer].
(FR)L'invention porte sur une nanoparticule de semi-conducteur de type cœur/écorce qui a une intensité lumineuse suffisante et ne provoque pas de phénomène de tremblotement (clignotement). La nanoparticule de semi-conducteur de type cœur/écorce a une dimension moyenne de particule de 2 à 50 nm, et présente une couche intermédiaire entre la partie de cœur et la partie d'écorce. Le classement par rang des largeurs de bande interdite parmi les cristaux en vrac ayant respectivement les mêmes compositions que celles de la partie de cœur, de la partie d'écorce et de la couche intermédiaire est le suivant : [la largeur d'intervalle de bande d'un cristal massique ayant la même composition que celle de la partie de cœur] < [la largeur de bande interdite de cristaux en vrac ayant la même composition que celle de la partie d'écorce] < [largeur de bande interdite de cristaux en vrac ayant la même composition que celle de la couche intermédiaire].
(JA) 本発明は、コア/シェル型半導体ナノ粒子であって、充分な発光強度を有し、かつ明滅現象(ブリンキング)のないコア/シェル型半導体ナノ粒子を提供する。本発明のコア/シェル型半導体ナノ粒子は、平均粒径が2~50nmであるコア/シェル型半導体ナノ粒子であって、コア部とシェル部の間に中間層を有し、かつ当該コア部、シェル部及び中間層のそれぞれの組成と同一の組成のバルク結晶のバンドギャップ幅が、コア部<シェル部<中間層の順に大きいことを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)