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1. (WO2008090763) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/090763    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/050152
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 09.01.2008
CIB :
H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
SASAKI, Yuichiro; (US Seulement).
OKASHITA, Katsumi; (US Seulement).
NAKAMOTO, Keiichi; (US Seulement).
ITO, Hiroyuki; (US Seulement).
MIZUNO, Bunji; (US Seulement)
Inventeurs : SASAKI, Yuichiro; .
OKASHITA, Katsumi; .
NAKAMOTO, Keiichi; .
ITO, Hiroyuki; .
MIZUNO, Bunji;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-011941 22.01.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
Abrégé : front page image
(EN)At the time of generating plasma composed of a gas containing an impurity by electrical discharge in a vacuum container and performing impurity doping in sequence to a plurality of substrates by using the plasma, plasma doping conditions of the substrate to be processed are adjusted based on a cumulative discharge time up to a time when the substrates to be processed are arranged in the vacuum container.
(FR)Selon le mode de réalisation décrit dans cette invention, lors de la production d'un plasma composé d'un gaz contenant une impureté par décharge électrique dans un contenant sous vide et application d'un dopage d'impuretés de manière séquentielle à plusieurs substrats au moyen du plasma, les conditions de dopage au plasma du substrat à traiter étant réglées sur la base d'une durée de décharge cumulative jusqu'au moment où les substrats à traiter sont placés dans le contenant sous vide.
(JA) 真空容器内において放電によって不純物を含むガスからなるプラズマを生成し、当該プラズマを用いて複数の基板に対して前記不純物のドーピングを順次実施する際に、前記真空容器内に被処理基板が設置されるまでの積算放電時間に基づいて、当該被処理基板のプラズマドーピング条件を調整する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)