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1. (WO2008090727) ÉLÉMENT OPTIQUE SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/090727    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/000027
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 16.01.2008
CIB :
H01S 5/028 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
FUKUDA, Kazuhisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUKUDA, Kazuhisa; (JP)
Mandataire : HAYAMI, Shinji; Gotanda TG Bldg. 9F 9-2, Nishi-Gotanda 7-chome Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-015606 25.01.2007 JP
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT OPTIQUE SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE
(JA) 窒化物系半導体光素子
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a highly reliable high power semiconductor laser. The semiconductor laser has an active layer composed of a III nitride semiconductor including Ga as a constituent element, and emits a laser beam from an end surface of the active layer. The semiconductor laser is arranged on the end surface from which the laser beam is to be emitted, and is provided with a protection film composed of a dielectric film. A part of a region of the dielectric film in contact with the end surface includes carbon.
(FR)L'invention concerne un laser semi-conducteur de puissance élevée hautement fiable. Le laser semi-conducteur a une couche active composée d'un semi-conducteur de nitrure III comprenant Ga en tant qu'élément constitutif, et émet un faisceau laser à partir d'une surface d'extrémité de la couche active. Le laser semi-conducteur est disposé sur la surface d'extrémité à partir de laquelle le faisceau laser doit être émis, et comporte un film de protection composé d'un film diélectrique. Une partie d'une région du film diélectrique en contact avec la surface d'extrémité comprend du carbone.
(JA) 信頼性の高い高出力半導体レーザを提供する。一実施形態に係る半導体レーザは、Gaを構成元素として含むIII族窒化物半導体からなる活性層を有し、当該活性層の端面からレーザ光を出射する半導体レーザである。この半導体レーザは、レーザ光が出射される上記端面上に設けられており、誘電体膜からなる保護膜を備えている。前記端面に接する誘電体膜の一部の領域には、炭素が含まれている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)