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1. (WO2008090512) DISPOSITIFS À EFFET DE CHAMP ÉLECTRONIQUES ET PROCÉDÉS POUR LEUR FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/090512    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/050216
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 22.01.2008
CIB :
H01L 29/812 (2006.01), C30B 25/20 (2006.01), C30B 29/04 (2006.01), C23C 14/02 (2006.01), C23C 16/27 (2006.01), H01L 21/04 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01), C23C 14/58 (2006.01)
Déposants : ELEMENT SIX LIMITED [GB/GB]; Isle of Man Freeport, Ballasalla, Isle Of Man IM99 6AQ (GB) (Tous Sauf US).
WORT, Christopher John Howard [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
SCARSBROOK, Geoffrey Alan [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
FRIEL, Ian [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
BALMER, Richard Stuart [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
DONALD, Heather June [ZA/ZA]; (ZA) (MW only)
Inventeurs : WORT, Christopher John Howard; (GB).
SCARSBROOK, Geoffrey Alan; (GB).
FRIEL, Ian; (GB).
BALMER, Richard Stuart; (GB)
Mandataire : CARPMAELS & RANSFORD; 43 Bloomsbury Square, London WC1A 2RA (GB)
Données relatives à la priorité :
0701186.9 22.01.2007 GB
0705524.7 22.03.2007 GB
0705523.9 22.03.2007 GB
0709716.5 21.05.2007 GB
0713464.6 11.07.2007 GB
Titre (EN) ELECTRONIC FIELD EFFECT DEVICES AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE
(FR) DISPOSITIFS À EFFET DE CHAMP ÉLECTRONIQUES ET PROCÉDÉS POUR LEUR FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Electronic field effect devices, and methods of manufacture of these electronic field effect devices are disclosed. In particular, there is disclosed an electronic field effect device which has improved electrical properties due to the formation of a highly mobile two-dimensional charge-carrier gas in a simple structure formed from diamond in combination with polar materials.
(FR)L'invention concerne des dispositifs à effet de champ électroniques et des procédés de fabrication de ces dispositifs à effet de champ électroniques. En particulier, l'invention concerne un dispositif à effet de champ électronique qui a des propriétés électriques améliorées en raison de la formation d'un gaz porteur de charges bidimensionnel hautement mobile dans une structure simple formée à partir d'un diamant en combinaison avec des matériaux polaires.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)