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1. (WO2008090511) DÉCAPAGE AU PLASMA DE SURFACES DE DIAMANTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/090511    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/050215
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 22.01.2008
CIB :
C23C 14/58 (2006.01), C23C 14/02 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 29/04 (2006.01), H01L 21/04 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01)
Déposants : ELEMENT SIX LIMITED [GB/GB]; Isle of Man Freeport, Ballasalla, Isle Of Man IM99 6AQ (GB) (Tous Sauf US).
LEE, Chee-Leong [MY/GB]; (GB) (US Seulement).
GU, Erdan [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
SCARSBROOK, Geoffrey Alan [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
FRIEL, Ian [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
DAWSON, Martin David [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
DONALD, Heather June [ZA/ZA]; (ZA) (MW only)
Inventeurs : LEE, Chee-Leong; (GB).
GU, Erdan; (GB).
SCARSBROOK, Geoffrey Alan; (GB).
FRIEL, Ian; (GB).
DAWSON, Martin David; (GB)
Mandataire : CARPMAELS & RANSFORD; 43 Bloomsbury Square London WC1A 2RA (GB)
Données relatives à la priorité :
0701186.9 22.01.2007 GB
0705523.9 22.03.2007 GB
0705524.7 22.03.2007 GB
0709716.5 21.05.2007 GB
0713464.6 11.07.2007 GB
Titre (EN) PLASMA ETCHING OF DIAMOND SURFACES
(FR) DÉCAPAGE AU PLASMA DE SURFACES DE DIAMANTS
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method of producing a diamond surface including the steps of providing an original diamond surface, subjecting the original diamond surface to plasma etching to remove at least 2 nm of material from the original surface and produce a plasma etched surface, the roughness Rq of the plasma etched surface at the location of the etched surface where the greatest depth of material has been removed satisfying at least one of the following conditions: Rq of the plasma etched surface is less than 1.5 times the roughness of Rq of the original surface, or Rq of the plasma etched surface is less than 1 nm.
(FR)L'invention porte sur une méthode de production d'une surface de diamant comprenant les étapes suivantes: fourniture d'une surface originale de diamant; soumission de la surface originale de diamant à une attaque au plasma pour enlever au moins 2 nm de matière de la surface originale; et obtention d'une surface décapée. La rugosité Rq de la surface décapée là où le décapage est le plus profond doit satisfaire au moins à l'une des conditions suivantes: la Rq de la surface décapée est de moins de 1,5 fois celle de la surface originale, ou elle est inférieure à 1 nm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)