WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008090510) MATÉRIAU DIAMANT DOPÉ AU BORE DOTÉ D'UNE GRANDE UNIFORMITÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/090510    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/050214
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 22.01.2008
CIB :
C23C 16/27 (2006.01), C30B 29/04 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01)
Déposants : ELEMENT SIX LIMITED [GB/GB]; Isle of Man Freeport, Ballasalla, Isle Of Man IM99 6AQ (GB) (Tous Sauf US).
SCARSBROOK, Geoffrey Alan [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
DONALD, Heather June [ZA/ZA]; (ZA) (MW only)
Inventeurs : SCARSBROOK, Geoffrey Alan; (GB)
Mandataire : CARPMAELS & RANSFORD; 43 Bloomsbury Square, London WC1A 2RA (GB)
Données relatives à la priorité :
0701186.9 22.01.2007 GB
0705523.9 22.03.2007 GB
0705524.7 22.03.2007 GB
0709716.5 21.05.2007 GB
0713464.6 11.07.2007 GB
Titre (EN) HIGH UNIFORMITY BORON DOPED DIAMOND MATERIAL
(FR) MATÉRIAU DIAMANT DOPÉ AU BORE DOTÉ D'UNE GRANDE UNIFORMITÉ
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to diamond material comprising a boron doped single crystal diamond substrate layer having a first surface and a boron doped single crystal diamond conductive layer on said first surface, wherein the distribution of boron in the conductive layer is more uniform than the distribution of boron in the substrate layer.
(FR)La présente invention concerne un matériau diamant comprenant une couche substrat de diamant monocristallin dopé au bore possédant une première surface, et une couche conductrice de diamant monocristallin dopé au bore disposée sur ladite première surface, la répartition du bore étant plus uniforme dans la couche conductrice que dans la couche substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)