WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008090418) COMPOSITION DE NETTOYAGE LIQUIDE ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/090418    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/050203
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 22.01.2007
CIB :
H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
SHARMA, Balgovind [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SHARMA, Balgovind; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LIQUID CLEANING COMPOSITION AND METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) COMPOSITION DE NETTOYAGE LIQUIDE ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Aqueous liquid cleaning composition for wet cleaning of the sidewalls and bottom of vias formed in a dielectric layer of a semiconductor device, said composition comprising: c) hydrofluoric acid; d) a corrosion inhibitor which is a polyazo corrosion inhibitor or carboxylic acid corrosion inhibitor.
(FR)La présente invention concerne une composition de nettoyage aqueuse liquide pour le lavage des parois et du fond de trous d'interconnexion formés dans la couche diélectrique d'un dispositif semiconducteur, cette composition comprenant : c) de l'acide fluorhydrique; d) un inhibiteur de corrosion qui est un inhibiteur de corrosion polyazo ou un inhibiteur de corrosion d'acide carboxylique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)