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1. (WO2008089944) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR DES STRUCTURES DE GUIDE D'ONDES OPTIQUE À BASE DE SEMI-CONDUCTEURS DE FORMES GÉOMÉTRIQUES PARTICULIÈRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/089944    N° de la demande internationale :    PCT/EP2008/000433
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 22.01.2008
CIB :
G02B 6/136 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITÄT KARLSRUHE (TH) [DE/DE]; Kaiserstrasse 12, 76128 Karlsruhe (DE) (Tous Sauf US).
FREUDE, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KOOS, Christian [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LEUTHOLD, Jürgen [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : FREUDE, Wolfgang; (DE).
KOOS, Christian; (DE).
LEUTHOLD, Jürgen; (DE)
Mandataire : MERGEL, Volker; Blumbach Zinngrebe, Alexandrastrasse 5, 65187 Wiesbaden (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2007 004 043.3 22.01.2007 DE
Titre (DE) HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR HALBLEITERBASIERTE OPTISCHE WELLENLEITERSTRUKTUREN MIT SPEZIELLEN GEOMETRISCHEN FORMEN
(EN) PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR-BASED OPTICAL WAVEGUIDE STRUCTURES WITH SPECIAL GEOMETRICAL SHAPES
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR DES STRUCTURES DE GUIDE D'ONDES OPTIQUE À BASE DE SEMI-CONDUCTEURS DE FORMES GÉOMÉTRIQUES PARTICULIÈRES
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein mehrstufiges Herstellungsverfahren für Wellenleiterstrukturen vorgestellt. Die Wellenleiterstruktur wird in Abschnitte unterteilt, die mit unterschiedlichen Ätzverfahren aus einer einkristallinen Bauteilschicht erzeugt werden (Schritt 2, Ätzschritt zwischen Schritt 2 und Schritt 3). Dabei ist mindestens ein Ätzverfahren kristallographisch-anisotrop d.h. nasschemischer. Das Verfahren erlaubt es, die hohe Präzision von kristallographisch-anisotropen Ätzverfahren mit der geometrischen Vielfalt zu verbinden, die durch andere Ätzverfahren hergestellte Strukturen hinsichtlich ihrer Geometrie aufweisen. Die Kanten der Wellenleiterstruktur sind im kristallorientierten Abschnitt so orientiert, dass die späteren Seitenwände im wesentlichen mit stabilen Ebenen des Kristallgitters übereinstimmen. Dadurch ist die Lage der Seitenwände sehr genau definiert und es lassen sich mit hoher Präzision Querschnittsgeometrien erzeugen, die mit herkömmlichen, beispielsweise trockenchemischen Verfahren nicht erreichbar sind.
(EN)The invention relates to a multi-step production method for waveguide structures. The waveguide structure is divided into sections, which are produced from a monocrystalline component layer using different etching methods (step 2, etching step between step 2 and step 3). At least one etching method is crystallographic anisotropic, i.e. wet-chemical. The method allows combining the high precision of crystallographic anisotropic etching methods with the geometrical variety exhibited by structures produced using other etching methods in regard to geometry. The edges of the waveguide structure are oriented in the crystal-oriented sections such that the subsequent side walls substantially agree with stable planes of the crystal lattice. Thus, the position of the side walls is exactly defined, and cross-sectional geometries that cannot be achieved with conventional, for example dry chemical, methods can be produced with high precision.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de structures de guide d'ondes en plusieurs étapes. La structure de guide d'ondes est subdivisée en plusieurs sections qui sont produites à partir d'une couche de composant monocristalline avec différents procédés de gravures. Pour cela, au moins un procédé de gravure est anisotrope d'un point de vue cristallographique. Le procédé permet de combiner la haute précision des procédés de gravure anisotropes du point de vue cristallographique avec la diversité géométrique que des structures fabriquées par d'autres procédés de gravure présentent quant à leur géométrie. Dans la section orientée selon les monocristaux, les arêtes de la structure de guide d'ondes sont orientées de telle manière que les parois latérales ultérieures correspondent pour l'essentiel à des plans stables du réseau cristallin. La situation des parois latérales se trouve ainsi très précisément définie et il est possible de produire des géométries de section transversale de haute précision qui ne peuvent être obtenues par les procédés habituels comme par exemple les procédés chimiques à sec. Un tel procédé peut en particulier être utilisé pour la structuration de guides d'ondes dans la couche de composant monocristalline de plaquettes avec silicium sur isolant (SOI). Il est possible d'utiliser des procédés connus de gravure anisotropes du point de vue cristallographique, dans lesquels les niveaux (III) représentent des plans cristallographiques stables. Il est ainsi possible de produire des géométries de section transversale hétérogènes dépendant de l'orientation des monocristaux de la couche de composant ainsi que de la mise en oeuvre ou non, et dans quelle mesure, des processus de gravure en amont du procédé de gravure anisotrope d'un point de vue cristallographique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)