WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008089862) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT, ET ÉLÉMENT DÉTECTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/089862    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/062952
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 28.11.2007
CIB :
B81C 1/00 (2006.01), G01L 9/00 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
KRAMER, Torsten [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KNESE, Kathrin [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BENZEL, Hubert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHUERMANN, Gregor [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ARMBRUSTER, Simon [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHELLING, Christoph [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KRAMER, Torsten; (DE).
KNESE, Kathrin; (DE).
BENZEL, Hubert; (DE).
SCHUERMANN, Gregor; (DE).
ARMBRUSTER, Simon; (DE).
SCHELLING, Christoph; (DE)
Représentant
commun :
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2007 003 544.8 24.01.2007 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS UND SENSORELEMENT
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF A COMPONENT AND SENSOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT, ET ÉLÉMENT DÉTECTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauteils (10) vorgeschlagen, mit mindestens einer in der Bauteiloberfläche ausgebildeten Membran (11), die eine Kaverne (12) überspannt, und mit mindestens einer von der Bauteilrückseite ausgehenden Zugangsöffnung (14) zu der Kaverne (12), wobei zumindest eine erste Membranschicht (2) und die Kaverne (12) von der Bauteiloberfläche ausgehend in einem monolithischen Halbleitersubstrat (1) erzeugt werden und wobei die Zugangsöffnung (14) von der Substratrückseite ausgehend in einem zeitlich begrenzten Ätzprozess erzeugt wird. Dazu wird die Zugangsöffnung (14) erfindungsgemäß in einem Bereich angeordnet, in dem das Substratmaterial an die erste Membranschicht (2) heranreicht. Außerdem umfasst der Ätzprozess zum Erzeugen der Zugangsöffnung (14) mindestens einen anisotropen Ätzschritt und mindestens einen isotropen Ätzschritt, wobei in dem anisotropen Ätzschritt ein von der Substratrückseite ausgehender Ätzkanal (15) erzeugt wird, der unterhalb der ersten Membranschicht (2) in der Umgebung der Kaverne (12) endet, und wobei zumindest der Endbereich (16) dieses Ätzkanals (15) in dem isotropen Ätzschritt aufgeweitet wird, bis der Ätzkanal (15) an die Kaverne angeschlossen ist.
(EN)The present invention proposes a method for the production of a component (10), comprising at least one membrane (11) configured in the component surface, the membrane spanning a cavern (12), and further comprising at least one access opening (14) to the cavern (12) coming from the component rear, wherein at least one first membrane layer (2) and the cavern (12) are created in a monolithic semiconductor substrate (1) starting from the component surface, and wherein the access opening (14) starting from the substrate rear is created in a chronologically limited etching process. For this purpose, according to the invention the access opening (14) is disposed in a region in which the substrate material reaches the first membrane layer (2). Further, the etching process comprises at least one anisotropic etching step and at least one isotropic etching step for creating the access opening (14), wherein an etching channel (15) is created starting at the substrate rear in the anisotropic etching step, the channel ending beneath the first membrane layer (2) in the surrounding region of the cavern (12), and wherein at least the and region (16) of this etching channel (15) is widened in the isotropic etching step, until the etching channel (15) is connected to the cavern.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant (10) comprenant au moins une membrane (11) configurée dans la surface du composant et recouvrant une cavité (12), et au moins une ouverture d'accès (14) partant du côté arrière du composant et menant à la cavité (12). Au moins une première couche membranaire (2) et la cavité (12) sont réalisées, à partir de la surface du composant, dans un substrat semiconducteur monolithique (1), et l'ouverture d'accès (14) est façonnée, à partir du côté arrière du substrat, par un processus de gravure limité dans le temps. A cet effet, selon l'invention, l'ouverture d'accès (14) est disposée dans une région dans laquelle le matériau du substrat atteint la première couche membranaire (2). De plus, le processus de gravure pour produire l'ouverture d'accès (14) comprend au moins une étape de gravure anisotrope et au moins une étape de gravure isotrope. Un canal d'attaque (15) partant du côté arrière du substrat et se terminant en dessous de la première couche membranaire (2), dans l'environnement de la cavité (12), est produit lors de l'étape de gravure anisotrope. Lors de l'étape de gravure isotrope, au moins la région terminale (16) de ce canal d'attaque (15) est élargie, jusqu'à ce que le canal d'attaque (15) soit raccordé à la cavité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)