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1. (WO2008089297) DÉPÔT MUTICOUCHE DE NITRURE DE SILICIUM POUR UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2008/089297 N° de la demande internationale : PCT/US2008/051249
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 17.01.2008
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : JUNKER, Kurt H.[US/US]; US (UsOnly)
GRUDOWSKI, Paul A.[US/US]; US (UsOnly)
BO, Xiang-Zheng[US/US]; US (UsOnly)
LUO, Tien Ying[CN/US]; US (UsOnly)
FREESCALE SEMICONDUCTOR INC.[US/US]; 6501 William Cannon Drive West Austin, Texas 78735, US (AllExceptUS)
Inventeurs : JUNKER, Kurt H.; US
GRUDOWSKI, Paul A.; US
BO, Xiang-Zheng; US
LUO, Tien Ying; US
Mandataire : KING, Robert L. ; 7700 W. Parmer Lane MD: TX32/PL02 Austin, TX 78729, US
Données relatives à la priorité :
11/655,46119.01.2007US
12/008,60711.01.2008US
Titre (EN) MULTILAYER SILICON NITRIDE DEPOSITION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DÉPÔT MUTICOUCHE DE NITRURE DE SILICIUM POUR UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN) A method for making a semiconductor device is provided which comprises (a) providing a semiconductor structure equipped with a gate (209) and a channel region, said channel region being associated with the gate; (b) depositing a first sub-layer (231) of a first stressor material over the semiconductor structure, said first stressor material containing silicon- nitrogen bonds and imparting tensile stress to the semiconductor structure; (c) curing the first stressor material through exposure to a radiation source; (d) depositing a second sub-layer (233) of a second stressor material over the first sub-layer, said second stressor material containing silicon- nitrogen bonds and imparting tensile stress to the semiconductor structure; and (e) curing the second sub-layer of stressor material through exposure to a radiation source.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs comprenant : (a) la réalisation d'une structure semi-conductrice dotée d'une grille (209) et d'une région de canal, ladite région de canal étant associée à la grille ; (b) le dépôt d'une première sous-couche (231) d'une premier matériau de contrainte sur la structure semi-conductrice, ledit matériau de contrainte contenant des liaisons silicium-azote et procurant une contrainte de traction à la structure semi-conductrice ; (c) le durcissement du premier matériau de contrainte par exposition à une source de rayonnement ; (d) le dépôt d'une seconde sous-couche (233) d'un second matériau de contrainte sur la première sous-couche, ledit second matériau de contrainte contenant des liaisons silicium-azote et procurant une contrainte de traction à la structure semi-conductrice ; et (e) le durcissement de la seconde sous-couche du matériau de contrainte par exposition à une source de rayonnement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)