WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008089178) SOURCE DE PLASMA AVEC REVÊTEMENT À DES FINS DE RÉDUCTION DE LA CONTAMINATION PAR LES MÉTAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/089178    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/051068
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 15.01.2008
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US) (Tous Sauf US).
HERTEL, Richard, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
LI, You, Chia [US/US]; (US) (US Seulement).
MCGRAIL, Philip, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
MILLER, Timothy, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
PERSING, Harold, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
SINGH, Vikram [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HERTEL, Richard, J.; (US).
LI, You, Chia; (US).
MCGRAIL, Philip, J.; (US).
MILLER, Timothy, J.; (US).
PERSING, Harold, M.; (US).
SINGH, Vikram; (US)
Mandataire : CHOI, Changhoon; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc., 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US)
Données relatives à la priorité :
11/623,739 16.01.2007 US
Titre (EN) PLASMA SOURCE WITH LINER FOR REDUCING METAL CONTAMINATION
(FR) SOURCE DE PLASMA AVEC REVÊTEMENT À DES FINS DE RÉDUCTION DE LA CONTAMINATION PAR LES MÉTAUX
Abrégé : front page image
(EN)A plasma source (100) having a plasma chamber (102) with metal chamber walls contains a process gas. A dielectric window (120, 122) passes a RF signal into the plasma chamber. The RF signal excites and ionizes the process gas, thereby- forming a plasma in the plasma chamber. A plasma chamber liner (125) that is positioned inside the- plasma chamber provides line-of-site shielding of the inside of the plasma chamber from metal sputtered by ions striking the metal walls (102) of the plasma chamber.
(FR)Une source de plasma dotée d'une chambre plasma pouvue de parois de chambre métalliques renferme un gaz de traitement. Une fenêtre diélectrique transmet un signal RF à la chambre plasma. Le signal RF excite et ionise le gaz de traitement, formant un plasma dans la chambre plasma. Une revêtement de chambre plasma qui est positionné dans cette dernière constitue un écran de protection de la ligne du site de l'intérieur de la chambre plasma contre le métal pulvérisé par les ions venant frapper les parois métalliques de la chambre plasma.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)