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1. (WO2008089157) COMPENSATION DE FUITE AU NIVEAU D'UNE COLONNE DANS UN CIRCUIT DE DÉTECTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/089157    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/051023
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 14.01.2008
CIB :
G11C 16/28 (2006.01), G11C 7/06 (2006.01), G11C 29/00 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway, San Jose, California 95131 (US) (Tous Sauf US).
BEDARIDA, Lorenzo [IT/IT]; (IT).
MOSTOLA, Maria [IT/IT]; (IT).
MANFRE', Davide [IT/IT]; (IT).
FERRARIO, Donato [IT/US]; (IT)
Inventeurs : BEDARIDA, Lorenzo; (IT).
MOSTOLA, Maria; (IT).
MANFRE', Davide; (IT).
FERRARIO, Donato; (IT)
Mandataire : STEFFEY, Charles, E.; Schwegman, Lundberg & Woessner, P.A., P.O. Box 2938, Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
11/652,828 12.01.2007 US
Titre (EN) COLUMN LEAKAGE COMPENSATION IN A SENSING CIRCUIT
(FR) COMPENSATION DE FUITE AU NIVEAU D'UNE COLONNE DANS UN CIRCUIT DE DÉTECTION
Abrégé : front page image
(EN)A sensing circuit. In one embodiment, the sensing circuit includes a memory circuit including a first bitline that sinks a first leakage current, a compensation device coupled to the memory circuit, and a compensation circuit coupled to the compensation device. The compensation circuit includes a second bitline that sinks a second leakage current that matches the first leakage current. The compensation device is operative to compensate the first leakage current through a current based on the second leakage current. According to the system and method disclosed herein, the compensation device and compensation circuit prevents errors when determining the state of the memory cell.
(FR)Selon une forme d'exécution, l'invention concerne un circuit de détection comprenant un circuit de mémoire intégrant une première ligne de bits qui reçoit un premier courant de fuite, un dispositif de compensation couplé au circuit de la mémoire et un circuit de compensation couplé au dispositif de compensation. Le circuit de compensation comprend une deuxième ligne de bits qui reçoit un deuxième courant de fuite correspondant au premier. Le dispositif de compensation est activé de façon à compenser le premier courant de fuite dans un courant en fonction du deuxième courant de fuite. Selon le système et le procédé de cette invention, le dispositif et le circuit de compensation empêchent des erreurs lors de la détermination de l'état de la cellule mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)