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1. (WO2008088838) RÉDUCTION DES DÉFAUTS DE CROISSANCE DE CRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM ENSEMENCÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/088838    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/000597
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 17.01.2008
CIB :
C30B 29/40 (2006.01), C30B 23/00 (2006.01)
Déposants : CRYSTAL IS, INC. [US/US]; 877 25th Street, Watervliet, NY 12189 (US) (Tous Sauf US).
BONDOKOV, Robert, T. [BG/US]; (US) (US Seulement).
MORGAN, Kenneth, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
SCHOWALTER, Leo, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
SLACK, Glenn, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BONDOKOV, Robert, T.; (US).
MORGAN, Kenneth, E.; (US).
SCHOWALTER, Leo, J.; (US).
SLACK, Glenn, A.; (US)
Mandataire : US, Natasha; Goodwin Procter LLP, Exchange Place, Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
60/880,869 17.01.2007 US
Titre (EN) DEFECT REDUCTION IN SEEDED ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL GROWTH
(FR) RÉDUCTION DES DÉFAUTS DE CROISSANCE DE CRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM ENSEMENCÉS
Abrégé : front page image
(EN)Bulk single crystal of aluminum nitride (AlN) having an areal planar defect density≤lOO cm'2. Methods for growing single crystal aluminum nitride include melting an aluminum foil to uniformly wet a foundation with a layer of aluminum, the foundation forming a portion of an AlN seed holder, for an AlN seed to be used for the AlN growth. The holder may consist essentially of a substantially impervious backing plate. LIBC/3200448 1
(FR)L'invention concerne un monocristal de nitrure d'aluminium (AlN) en vrac, doté d'une densité de défauts planaires de surface ≤lOO cm'2. L'invention concerne en outre des procédés pour la croissance d'un monocristal de nitrure d'aluminium qui consistent à faire fondre une feuille d'aluminium pour recouvrir uniformément une fondation d'une couche d'aluminium, la fondation formant une partie d'un support de semence d'AlN à utiliser pour la croissance d'AlN. Le support peut comprendre essentiellement une plaque support sensiblement imperméable. LIBC/3200448 1
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)