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1. (WO2008088743) SYSTÈMES DE TRAITEMENT DE GAZ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/088743    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/000402
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 11.01.2008
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01)
Déposants : VEECO INSTRUMENTS INC. [US/US]; Terminal Drive, Plainview, NY 11803 (US) (Tous Sauf US).
MITROVIC, Bojan [YU/US]; (US) (US Seulement).
GURARY, Alex [US/US]; (US) (US Seulement).
ARMOUR, Eric, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MITROVIC, Bojan; (US).
GURARY, Alex; (US).
ARMOUR, Eric, A.; (US)
Mandataire : MILLET, Marcus, J.; Lerner, David, Littenberg, Krumholz & Mentlik, LLP, 600 South Avenue West, Westfield, NJ 07090 (US)
Données relatives à la priorité :
60/880,243 12.01.2007 US
Titre (EN) GAS TREATMENT SYSTEMS
(FR) SYSTÈMES DE TRAITEMENT DE GAZ
Abrégé : front page image
(EN)An MOCVD reactor such as a rotating disc reactor (10) is equipped with a gas injector head having diffusers (129) disposed between adjacent gas inlets. The diffusers taper in the downstream direction. The injector head desirably has inlets (117) for a first gas such as a metal alkyl disposed in radial rows which terminate radially inward from the reactor wall to minimize deposition of the reactants on the reactor wall. The injector head desirably also has inlets (125) for a second gas such as ammonia arranged in a field between the rows of first gas inlets, and additionally has a center inlet (135) for the second gas coaxial with the axis of rotation.
(FR)L'invention concerne un réacteur à traitement métallo-organique par dépôt chimique en phase vapeur (MOCVD), tel qu'un réacteur à disque rotatif (10), est équipé d'une tête d'injecteur de gaz ayant des diffuseurs (129) disposés entre des entrées de gaz adjacentes. Les diffuseurs s'effilent dans la direction en aval. La tête d'injecteur a de façon souhaitable des entrées (117) pour un premier gaz tel qu'un métal alkyle disposé dans des rangées radiales se terminant radialement vers l'intérieur à partir de la paroi du réacteur pour rendre minimal le dépôt des réactifs sur la paroi du réacteur. La tête d'injecteur a également, de façon souhaitable, des entrées (125) pour un second gaz, tel que l'ammoniac, disposées dans un champ entre les rangées des premières entrées de gaz, et, de plus, a une entrée centrale (135) pour le second gaz coaxial à l'axe de rotation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)