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1. (WO2008088599) MIGRATION D'IONS FORCÉE POUR DISPOSITIF DE MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE À BASE DE CHALCOGÉNURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/088599    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/082025
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 19.10.2007
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : BOISE STATE UNIVERSITY [US/US]; 1910 University Drive Boise, ID 83725 (US) (Tous Sauf US).
CAMPBELL, Kristy, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CAMPBELL, Kristy, A.; (US)
Mandataire : PEDERSEN, Ken, J.; Pedersen & Company, PLLC P.O. Box 2666 Boise, ID 83701 (US)
Données relatives à la priorité :
60/853,068 19.10.2006 US
Titre (EN) FORCED ION MIGRATION FOR CHALCOGENIDE PHASE CHANGE MEMORY DEVICE
(FR) MIGRATION D'IONS FORCÉE POUR DISPOSITIF DE MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE À BASE DE CHALCOGÉNURE
Abrégé : front page image
(EN)Non-volatile memory devices with two stacked layers of chalcogenide materials comprising the active memory device have been investigated for their potential as phase change memories. The devices tested include GeTe/SnTe, Ge2Se3/SnTe, and Ge2Se3/SnSe stacks, all of which exhibit resistance switching behavior. The polarity of the applied voltage with respect to the SnTe or SnSe layer was critical to the memory switching properties, due to the electric field induced movement of either Sn or Te into the Ge-chalcogenide layer. The devices exhibit phase change switching only after a reverse polarity voltage potential is applied across the stack causing ion movement into an adjacent layer and thus 'activating' the device to act as a phase change random access memory device or a reconfigurable electronics device when the applied voltage potential is returned to the normal polarity. The devices may be capable of exhibiting more than two data states.
(FR)Des dispositifs de mémoire non volatile avec deux couches empilées de matériaux de chalcogénure comprenant le dispositif de mémoire active selon l'invention ont été examinés pour découvrir s'ils pouvaient servir de mémoires à changement de phase. Les dispositifs testés comprenaient des piles de GeTe/SnTe, Ge2Se3/SnTe et Ge2Se3/SnSe. Ils ont tous fait preuve d'un comportement de commutation de résistance. La polarité de la tension appliquée sur la couche de SnTe ou de SnSe a joué un rôle essentiel dans les propriétés de commutation de mémoire, en raison du mouvement provoqué par un champ électrique qu'ont subi le Sn ou le Te dans la couche de Ge-chalcogénure. Un mode de réalisation de l'invention concerne un dispositif qui comprend une pile de couches contenant du chalcogénure, lesquelles montrent une commutation à changement de phase seulement après qu'un potentiel de tension à polarité inversée a été appliqué au travers de la pile, provoquant un mouvement d'ions dans une couche adjacente, et « déclenchant » ainsi le dispositif pour qu'il serve de dispositif de mémoire vive à changement de phase ou de dispositif électronique reconfigurable lorsque le potentiel de tension appliqué revient à la polarité normale. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, un dispositif peut présenter plus de deux états de données.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)