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1. (WO2008088587) PROCÉDÉ DE MODELAGE BIMODE ÉCONOMIQUE ET HAUT RENDEMENT POUR SUBSTRATS À GRANDE SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/088587    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/078516
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 14.09.2007
CIB :
H01L 21/302 (2006.01)
Déposants : THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS [US/US]; 352 Henry Administration Building, 506 South Wright Street, Urbana, Illinois 61801 (US) (Tous Sauf US).
ANVIK CORPORATION [US/US]; 6 Skyline Drive, Hawthorne, NY 10532-2165 (US).
JAIN, Kanti [US/US]; (US) (US Seulement).
CHAE, Junghun [KR/US]; (US) (US Seulement).
APPASAMY, Sreeram [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JAIN, Kanti; (US).
CHAE, Junghun; (US).
APPASAMY, Sreeram; (US)
Mandataire : BARONE, Stephen B.; Greenlee, Winner And Sullivan, P.C., 4875 Pearl East Circle, Suite 200, Boulder, Colorado 80301 (US)
Données relatives à la priorité :
11/624,505 18.01.2007 US
Titre (EN) HIGH THROUGHPUT, LOW COST DUAL-MODE PATTERNING METHOD FOR LARGE AREA SUBSTRATES
(FR) PROCÉDÉ DE MODELAGE BIMODE ÉCONOMIQUE ET HAUT RENDEMENT POUR SUBSTRATS À GRANDE SURFACE
Abrégé : front page image
(EN)Methods of the present invention provide a high-throughput, low cost, patterning platform that is an alternative to conventional photolithography and direct laser ablation patterning techniques. The present processing methods are useful for making patterns of microsized and/or nanosized structures having accurately selected physical dimensions and spatial orientation that comprise active and passive components of a range of microelectronic devices. Processing provided by the present methods is compatible with large area substrates, such as device substrates for semiconductor integrated circuits, displays, and microelectronic device arrays and systems, and is useful for fabrication applications requiring patterning of layered materials, such as patterning thin film layers in thin film electronic devices.
(FR)Cette invention concerne des procédés permettant d'obtenir une plate-forme de modelage économique et à haut rendement, laquelle plate-forme représente une alternative aux techniques de modelage par ablation par laser direct et aux techniques de photolithographie classiques. Les modes de réalisation décrits dans cette invention sont utilisés pour élaborer des modelages de structures de tailles microscopiques et/ou de tailles nanoscopiques présentant des dimensions physiques sélectionnées et une orientation spaciale comprenant des composants actifs et passifs d'une gamme de dispositifs microélectroniques. Le processus décrit dans cette invention est compatible avec des substrats à grande surface, tels que des substrats de dispositifs pour des circuits intégrés à semiconducteurs, des dispositifs d'affichage, ainsi que des systèmes et des réseaux de dispositifs microélectroniques, le processus sert également pour des applications de fabrication nécessitant le modelage de matériaux stratifiés, tel que le modelage de couches de films minces dnas des dispositifs électroniques à films minces.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)