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1. (WO2008088165) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE RÉSISTANTE À UNE HAUTE DÉCHARGE ÉLECTROSTATIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/088165    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/000257
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 15.01.2008
CIB :
H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01)
Déposants : KOREA PHOTONICS TECHNOLOGY INSTITUTE [KR/KR]; 971-35, Wolchul-dong, Buk-gu, Gwangju, 500-779 (KR) (Tous Sauf US).
BAEK, Jong-Hyeob [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Sang-Mook [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Sang-Hern [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Seung-Jae [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
JHIN, Jung-Geun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Yoon-Seok [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YOM, Hong-Seo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YU, Young-Moon [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : BAEK, Jong-Hyeob; (KR).
KIM, Sang-Mook; (KR).
LEE, Sang-Hern; (KR).
LEE, Seung-Jae; (KR).
JHIN, Jung-Geun; (KR).
KIM, Yoon-Seok; (KR).
YOM, Hong-Seo; (KR).
YU, Young-Moon; (KR)
Mandataire : HWANG, E-Nam; 6F., KOITA Bldg., 20-17, Yangjae-Dong, Seocho-Ku, Seoul, 137-888 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2007-0004582 16.01.2007 KR
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE WITH HIGH ELECTROSTATIC DISCHARGE AND FABRICATION METHOD THEREOF
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE RÉSISTANTE À UNE HAUTE DÉCHARGE ÉLECTROSTATIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a light emitting diode with high electrostatic discharge and a fabrication method thereof, and more specifically to a light emitting diode comprising a first electrode layer provided over a upper surface of a first semiconductor layer and a upper surface of a second semiconductor layer; a transparent electrode layer formed on the upper surface of the second semiconductor layer, spaced from the first electrode layer; and a second electrode layer provided on a upper surface of the transparent electrode layer. With the present invention, there is provided a light emitting diode element with resistance against electrostatic discharge and with high reliability being strong against electrical impact, by selecting a structure arranging a form of an electrode differently from a conventional electrode.
(FR)La présente invention se rapporte à une diode électroluminescente résistante à une haute décharge électrostatique et à son procédé de fabrication, et plus spécifiquement à une diode électroluminescente comprenant une première couche d'électrode utilisée sur la surface supérieure d'une première couche semiconductrice et sur la surface supérieure d'une seconde couche semiconductrice, une couche d'électrode transparente étant formée sur la surface supérieure de la seconde couche semiconductrice, espacée de la première couche d'électrode, et une seconde couche d'électrode étant utilisée sur la surface supérieure de la couche d'électrode transparente. Grâce à la présente invention, un élément de diode électroluminescente est conçu, présentant une résistance contre une décharge électrostatique et présentant une fiabilité élevée, résistante contre un impact électrique, en sélectionnant une structure agençant différemment une forme d'électrode par rapport à une électrode classique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)