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1. (WO2008088120) PROCÉDÉ D'ENCAPSULATION DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/088120    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/005272
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 25.10.2007
CIB :
H01L 21/60 (2006.01)
Déposants : LS MTRON, LTD. [KR/KR]; #1026-6, Hogye-dong, Dongan-gu, Anyang-city, Gyeonggi-do (KR) (Tous Sauf US).
SEO, Joon-Mo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KANG, Byoung-Un [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
WI, Kyung-Tae [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Jae-Hoon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SUNG, Tae-Hyun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
HYUN, Soon-Young [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : SEO, Joon-Mo; (KR).
KANG, Byoung-Un; (KR).
WI, Kyung-Tae; (KR).
KIM, Jae-Hoon; (KR).
SUNG, Tae-Hyun; (KR).
HYUN, Soon-Young; (KR)
Mandataire : PHIL & ONZI INT'L PATENT & LAW FIRM; Jinsuk B/D 8F., 1536-7, Seocho-dong, Seocho-gu, Seoul 137-872 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2007-0005990 19.01.2007 KR
Titre (EN) METHOD FOR PACKAGING SEMICONDUCTOR
(FR) PROCÉDÉ D'ENCAPSULATION DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method for packaging a semiconductor is provided to allow uniform coating of a die attachment paste, shorten a B -staging time, and improve die pick-up characteristics and die attachment characteristics. This method includes preparing a die attachment paste with a viscosity of 1,500 to 100,000 cps; rotating a wafer and applying the die attachment paste to an upper surface of the wafer into a predetermined thickness; and B-staging the paste applied on the wafer. This method makes it possible to reduce costs by substituting for WBL (Wafer Backside Lamination) film, uniformly apply a die attachment paste to a wafer, freely control a thickness of applied die attachment paste by adjusting viscosity and dosage of discharged paste and a speed of a spin coater, and also shorten a process time by decreasing a B-staging time.
(FR)L'invention concerne un procédé d'encapsulation d'un semi-conducteur afin de permettre un dépôt uniforme d'une pâte de fixation de puce, de raccourcir une durée d'état B, et d'améliorer les caractéristiques de prise de puce et les caractéristiques de fixation de puce. Le procédé consiste à préparer une pâte de fixation de puce présentant une viscosité comprise entre 1500 et 100000 cps; à entraîner une plaquette en rotation et à appliquer la pâte de fixation de puce sur une surface supérieure de la plaquette selon une épaisseur prédéterminée; et amener à l'état B la pâte appliquée sur la plaquette. Le procédé permet la réduction des coûts par substitution de film WBL (stratification de face arrière de plaquette), permet l'application uniforme d'une pâte de fixation de puce sur une plaquette, permet le contrôle d'une épaisseur de pâte de fixation de puce appliquée par ajustement de la viscosité et de la dose de pâte déchargée et d'une vitesse f d'une tournette de dépôt, et permet également de raccourcir un temps de traitement par diminution d'une durée d'état B.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)