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1. (WO2008088097) FABRICATION DE MICROTUBES CREUX AUTOPORTANTS PAR DÉPOSITION ÉLECTROCHIMIQUE LOCALISÉE SANS MODÈLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/088097    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/000325
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 19.01.2007
CIB :
B81C 99/00 (2010.01), C01B 31/36 (2006.01), D01F 9/10 (2006.01)
Déposants : POSTECH FOUNDATION [KR/KR]; San 31, Hyoja-dong, Nam-gu, Pohang-si, Gyeongsangbuk-do 790-784 (KR) (Tous Sauf US).
POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION [KR/KR]; San 31, Hyoja-dong, Nam-gu, Pohang-si, Gyeongsangbuk-do 790-784 (KR) (Tous Sauf US).
SEOL, Seung Kwon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
JE, Jung Ho [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
HWU, Yeu Kuang; (TW) (US Seulement)
Inventeurs : SEOL, Seung Kwon; (KR).
JE, Jung Ho; (KR).
HWU, Yeu Kuang; (TW)
Mandataire : SESHIN PATENT & LAW FIRM; #207, World Meridian Venture Center II, 426-5, Gasan-dong, Geumcheon-gu, Seoul 153-781 (KR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FABRICATION OF FREESTANDING MICRO HOLLOW TUBES BY TEMPLATE-FREE LOCALIZED ELECTROCHEMICAL DEPOSITION
(FR) FABRICATION DE MICROTUBES CREUX AUTOPORTANTS PAR DÉPOSITION ÉLECTROCHIMIQUE LOCALISÉE SANS MODÈLE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method of fabricating a micro hollow tube, more specifically, a method of fabricating a micro hollow tube by template-free localized electrochemical deposition, in which the micro hollow tube is fabricated by the accurate control of the distribution of the electric field strength during deposition with precise interplay of the applied voltage and the distance between the microelectrode and the grown structure.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'un microtube creux, plus précisément, sur un procédé de fabrication d'un microtube creux par déposition électrochimique localisée sans modèle, le microtube creux étant fabriqué par la commande précise de la distribution de l'intensité de champ électrique pendant la déposition avec une interaction précise de la tension appliquée et de la distance entre la microélectrode et la structure développée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)