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1. (WO2008088086) OXYDE DE PÉROVSKITE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELUI-CI, FILM PIÉZOÉLECTRIQUE, ET DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/088086    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/051020
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 18.01.2008
CIB :
C01G 29/00 (2006.01), B41J 2/045 (2006.01), B41J 2/055 (2006.01), B41J 2/135 (2006.01), B41J 2/14 (2006.01), C01B 33/12 (2006.01), C01G 49/00 (2006.01), C01G 51/00 (2006.01), C04B 35/00 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01), H01L 41/187 (2006.01), H01L 41/22 (2013.01), H01L 41/39 (2013.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo, 1068620 (JP) (Tous Sauf US).
SAKASHITA, Yukio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SASAKI, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKASHITA, Yukio; (JP).
SASAKI, Tsutomu; (JP)
Mandataire : YANAGIDA, Masashi; YANAGIDA & ASSOCIATES, 7F, Shin-Yokohama KS Bldg., 3-18-3, Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa, 2220033 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-010185 19.01.2007 JP
Titre (EN) PEROVSKITE OXIDE, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, PIEZOELECTRIC FILM, AND PIEZOELECTRIC DEVICE
(FR) OXYDE DE PÉROVSKITE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELUI-CI, FILM PIÉZOÉLECTRIQUE, ET DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing a perovskite oxide having a composition expressed by the compositional formulas A(B, C)O3, and determined so as to satisfy the conditions (1), (2), and (3), 0.98 < TF(PX) <1.01, (1) TF(ABO3) > 1.0, and (2) TF(ACO3) < 1.0, (3) where each of A, B, and C represents one or more metal elements, the main component of one or more A-site elements is bismuth, the composition of one or more B-site element represented by B is different from the composition of one or more B-site element represented by C, TF(PX) is the tolerance factor of the oxide expressed by the compositional formula A(B, C)O3, and TF(ABO3) and TF(ACO3) are respectively the tolerance factors of the oxides expressed by the compositional formulas ABO3 and ACO3.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un oxyde de pérovskite ayant une composition exprimée par les formules compositionnelles A(B, C)O3, et déterminée de manière à satisfaire les conditions (1), (2), et (3), 0,98 < TF(PX) < 1,01, (1) TF(ABO3) > 1,0, et (2) TF(ACO3) < 1,0, (3) où chacun de A, B, et C représente un ou plusieurs métaux élémentaires, le composant principal d'un ou de plusieurs des éléments de site A étant le bismuth, la composition d'un ou de plusieurs des éléments de site B représentés par B est différente de la composition d'un ou de plusieurs des éléments de site B représentés par C, TF(PX) est le facteur de tolérance de l'oxyde exprimé par la formule compositionnelle A(B, C)O3, et TF(ABO3) et TF(ACO3) sont respectivement les facteurs de tolérance des oxydes exprimés par les formules compositionnelles ABO3 et ACO3.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)