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1. (WO2008088019) ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS BIPOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/088019    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/050533
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 17.01.2008
CIB :
H01L 29/861 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/73 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC. [JP/JP]; 6-16, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308270 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAYAMA, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUGAWARA, Yoshitaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAYAMA, Koji; (JP).
SUGAWARA, Yoshitaka; (JP)
Mandataire : TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-008053 17.01.2007 JP
Titre (EN) BIPOLAR SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS BIPOLAIRE
(JA) バイポーラ型半導体素子
Abrégé : front page image
(EN)A pin diode (70) is provided with an n-type 4H SiC substrate (21), and a drift layer (23) formed on the SiC substrate (21). The drift layer (23) has a donor density of 1×1013cm-3, and a film thickness of 200&mgr;m. A forward voltage difference (ΔVf) between forward current- voltage characteristics (K1) just after starting to carry electricity at a forward current density of 100A/cm2 and forward current-voltage characteristics (K2) after carrying electricity for one hour is not much, 0.1V or below.
(FR)La présente invention concerne une diode de broche (70) munie d'un substrat de SiC 4H de type n (21), ainsi qu'une couche de dérive (23) formée sur le substrat de SiC (21). La couche de dérive (23) possède une densité de donneur de 1×1013cm-3, et une épaisseur de film de 200 &mgr;m. Une différence de tension directe (ΔVf) entre des caractéristiques de tension-courant direct (K1) juste après avoir commencé à transporter l'électricité à une densité de courant direct de 100 A/cm2 et des caractéristiques de tension-courant direct (K2) après avoir transporté l'électricité pendant une heure n'est pas très importante, à savoir de 0,1 V ou moins.
(JA) pinダイオード70はn型4H型SiC基板21とSiC基板21上に形成されたドリフト層23を備える。ドリフト層23はドナー密度が1×1013cm-3で膜厚は200μmである。順方向電流密度100A/cmでの通電開始直後の順方向電流電圧特性K1と、1時間通電後の順方向電流電圧特性K2との順方向電圧差ΔVfは、0.1V以下であり、ほとんど差がなかった。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)