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1. (WO2008087944) APPAREIL DE TRAITEMENT DE GAZ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/087944    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/050371
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 15.01.2008
CIB :
A61L 9/00 (2006.01), B01D 53/38 (2006.01), B01J 19/08 (2006.01)
Déposants : YAMATAKE CORPORATION [JP/JP]; 2-7-3, Marunouchi, Chiyoda-ku Tokyo 1006419 (JP) (Tous Sauf US).
OYA, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IWATA, Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IGUCHI, Toshimaru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OYA, Yasuhiro; (JP).
IWATA, Masayuki; (JP).
IGUCHI, Toshimaru; (JP)
Mandataire : YAMAKAWA, Masaki; c/o Yamakawa International Patent Office 8th Floor, Shuwa-Tameike Building 4-2, Nagatacho 2-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1000014 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-006376 15.01.2007 JP
2007-006379 15.01.2007 JP
2007-006382 15.01.2007 JP
Titre (EN) GAS PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE GAZ
(JA) ガス処理装置
Abrégé : front page image
(EN)Honeycomb structures (4) are arranged at intervals along a direction from the inlet to the outlet of a duct (1). An upstream electrode (8) is arranged in the upstream of the honeycomb structure (4-1) arranged in the most upstream among the honeycomb structures (4), and a downstream electrode (9) is arranged in the downstream of the honeycomb structure (4-4) arranged in the most downstream. A high voltage is applied between the upstream electrode (8) and the downstream electrode (9), and plasma is generated in a space gap (12) between a through hole (4a) of the honeycomb structure (4) and the honeycomb structure (4).
(FR)Des structures de nid d'abeille (4) sont agencées par intervalles le long d'une conduite (1) de l'entrée vers la sortie de celle-ci. Une électrode amont (8) est agencée en amont de la structure de nid d'abeille (4-1) agencée le plus en amont parmi les structures de nid d'abeille (4), et une électrode aval (9) est agencée en aval de la structure de nid d'abeille (4-4) la plus en aval. Une haute tension est appliquée entre l'électrode amont (8) et l'électrode aval (9), et un plasma est généré dans un espace (12) entre un trou traversant (4a) de la structure de nid d'abeille (4) et la structure de nid d'abeille.
(JA) ダクト(1)の入口から出口へ向かう方向に沿ってハニカム構造体(4)を間隔を設けて配置する。このハニカム構造体(4)のうち最も上流に配置されるハニカム構造体(4-1)の上流側に上流側電極(8)を配置し、最も下流に配置されるハニカム構造体(4-4)の下流側に下流側電極(9)を配置し、上流側電極(8)と下流側電極(9)との間に高電圧を印加し、ハニカム構造体(4)の貫通孔(4a)とハニカム構造体(4)間の空間ギャップ(12)にプラズマを発生させる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)