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1. (WO2008087924) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/087924    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/050319
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 15.01.2008
CIB :
H05B 33/28 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
Déposants : IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321 (JP) (Tous Sauf US).
TOMAI, Shigekazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TOMAI, Shigekazu; (JP)
Mandataire : WATANABE, Kihei; Shibashin Kanda Bldg. 3rd Floor 26, Kanda Suda-cho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1010041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-006626 16.01.2007 JP
Titre (EN) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an organic electroluminescent device comprising a pair of electrodes and a light-emitting layer interposed between the electrodes. At least one of the electrodes is composed of a transparent conductive layer and a low oxidized metal layer, and the low oxidized metal layer is arranged between the transparent conductive layer and the light-emitting layer. The low oxidized metal layer has a thickness of not less than 0.5 nm but not more than 50 nm, while the transparent conductive layer has a thickness of not less than 10 nm but not more than 1000 nm. The low oxidized metal layer contains at least one element selected from In, Sn and Zn in an amount of not less than 70 at% in total.
(FR)L'invention concerne un dispositif électroluminescent organique comprenant une paire d'électrodes et une couche émettant de la lumière interposée entre les électrodes. Au moins l'une des électrodes est composée d'une couche conductrice transparente et d'une couche métallique à faible oxydation. La couche métallique à faible oxydation est disposée entre la couche conductrice transparente et la couche émettant de la lumière. La couche métallique à faible oxydation a une épaisseur de pas moins de 0,5 nm mais de pas plus de 50 nm, tandis que la couche conductrice transparente a une épaisseur de pas moins de 10 nm, mais de pas plus de 1 000 nm. La couche métallique à faible oxydation contient au moins un élément choisi parmi l'indium (In), l'étain (Sn) et le zinc (Zn) en une quantité de pas moins de 70 % atomique au total.
(JA) 一対の電極と、前記一対の電極により挟持された発光層を有し、少なくとも1つの電極が、透明導電層と低酸化金属層からなり、前記低酸化金属層が、前記透明導電層と前記発光層との間にあり、前記低酸化金属層の膜厚が0.5nm以上50nm以下であり、前記透明導電層の膜厚が10nm以上1000nm以下であり、前記低酸化金属層が、In、Sn及びZnの少なくとも1以上を合計して70at%以上含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)