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1. (WO2008087843) APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET SUPPORT DE STOCKAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/087843    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/075076
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 27.12.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.11.2008    
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
SAWADA, Ikuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
VENTZEK, Peter [US/JP]; (JP) (US Seulement).
OHSHITA, Tatsuro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUZAKI, Kazuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANG, Songyun [KR/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAWADA, Ikuo; (JP).
VENTZEK, Peter; (JP).
OHSHITA, Tatsuro; (JP).
MATSUZAKI, Kazuyoshi; (JP).
KANG, Songyun; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-006206 15.01.2007 JP
Titre (EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS, PLASMA PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET SUPPORT DE STOCKAGE
(JA) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a plasma processing apparatus wherein good temperature controllability is obtained in the side wall of the processing vessel and damage to the substrate by plasma is suppressed. Specifically disclosed is a plasma processing apparatus (1) comprising a first electrode (31) and a second electrode (32) so arranged in the upper portion of a processing vessel (11) as to face a stage (2), a gas supplying unit (4) for supplying a process gas between the first electrode (31) and the second electrode (32), a high-frequency power supply unit (33) for applying a high-frequency power between the first electrode (31) and the second electrode (32) for changing the process gas supplied between the electrodes (31, 32) into a plasma, and an evacuation system (14) for vacuum evacuating the atmosphere within the processing vessel (11) from the lower portion of the processing vessel (11). Since the electron temperature in the plasma is low near a substrate B on the stage (2), damage to the substrate B caused by the plasma can be suppressed. In addition, since a metal can be used as a material for the processing vessel (11), the processing vessel (11) can have good temperature controllability.
(FR)L'invention concerne un appareil de traitement par plasma dans lequel une bonne capacité de régulation de la température est obtenue dans la paroi latérale du récipient de traitement et un dommage au substrat par le plasma est supprimé. De façon précise, l'invention concerne un appareil de traitement par plasma (1) comprenant une première électrode (31) et une seconde électrode (32) disposées dans la partie supérieure d'un récipient de traitement (11) de façon à être tournées vers un étage (2), une unité d'alimentation en gaz (4) pour fournir un gaz de traitement entre la première électrode (31) et la seconde électrode (32), une unité d'alimentation en puissance haute fréquence (33) pour appliquer une puissance haute fréquence entre la première électrode (31) et la seconde électrode (32) pour changer le gaz de traitement fourni entre les électrodes (31, 32) en un plasma, et un système d'évacuation (14) pour évacuer sous-vide l'atmosphère à l'intérieur du récipient de traitement (11) à partir de la partie inférieure du récipient de traitement (11). Puisque la température des électrons dans le plasma est faible à proximité d'un substrat B sur l'étage (2), un dommage au substrat B provoqué par le plasma peut être supprimé. De plus, puisqu'un métal peut être utilisé comme matériau pour le récipient de traitement (11), le récipient de traitement (11) peut avoir une bonne capacité de régulation de la température.
(JA) 処理容器の側壁の温度制御性が良好であり、またプラズマによる基板へのダメージを抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。プラズマ処理装置1は、処理容器11の上部に載置台2と対向するように設けられた第1の電極31及び第2の電極32と、これら第1の電極31及び第2の電極32の間に処理ガスを供給するためのガス供給部4と、第1の電極31及び第2の電極32の間に供給された処理ガスをプラズマ化するためにこれら電極31、32の間に高周波電力を印加する高周波電源部33と、処理容器11の下部から処理容器11内の雰囲気を真空排気する排気装置14とを備えている。載置台2上の基板B付近ではプラズマの電子温度が低くなり、プラズマが基板Bに与えるダメージを抑えることができ、また処理容器11の材質として金属を用いることができるので、その温度制御性が良好である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)