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1. (WO2008087836) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À ONDE LIMITE ÉLASTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/087836    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/074919
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 26.12.2007
CIB :
H03H 3/08 (2006.01), H03H 9/145 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
KANDO, Hajime [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NODAKE, Naohiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAEKI, Masahiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUYUTSUME, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KANDO, Hajime; (JP).
NODAKE, Naohiro; (JP).
SAEKI, Masahiko; (JP).
FUYUTSUME, Toshiyuki; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI, Chikara; 6F, Daido Seimei Bldg. 5-4, Tanimachi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osakan 5400012 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-009855 19.01.2007 JP
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD FOR ELASTIC BOUNDARY WAVE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À ONDE LIMITE ÉLASTIQUE
(JA) 弾性境界波装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing an elastic boundary wave device, in which a discontinuous portion is hardly formed in a dielectric film thereby to deteriorate the electric characteristics hardly, although an IDT is not thinned so much, in case the dielectric film is formed by a deposition method. In the elastic boundary wave device manufacturing method, a lower dielectric film (5) is so formed over a piezoelectric substrate (1), after an IDT (4) was formed, as to cover the IDT (4). A flattening step is executed to reduce the corrugations of the upper face of the lower dielectric film (5). An upper dielectric film (7) is formed to cover the lower dielectric film (5) having the corrugation-reduced upper face.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à onde limite élastique, selon lequel une partie discontinue est à peine formée dans un film diélectrique, de sorte que les caractéristiques électriques ne sont guère détériorées, bien qu'un IDT ne soit pas tellement aminci, dans le cas où le film diélectrique est formé par un procédé de dépôt. Dans le procédé de fabrication du dispositif à onde limite élastique, un film diélectrique inférieur (5) est ainsi formé sur un substrat piézoélectrique (1), après qu'un IDT (4) soit formé, de façon à recouvrir l'IDT (4). Une étape d'aplanissement est exécutée pour réduire les ondulations de la face supérieure du film diélectrique inférieur (5). Un film diélectrique supérieur (7) est formé pour recouvrir le film diélectrique inférieur (5) ayant la face supérieure réduite en ondulation.
(JA) IDTの厚みをさほど薄くせずとも、堆積法により誘電体膜を形成した場合に誘電体膜中の不連続性部分が生じ難く、電気的特性の劣化が生じ難い弾性境界波装置の製造方法を提供する。  圧電基板1上に、IDT4を形成した後に、IDT4を覆うように下層誘電体膜5を形成し、下層誘電体膜5の上面の凹凸を緩和するように平坦化工程を実施し、上面の凹凸が緩和された下層誘電体膜5を覆うように上層誘電体膜7を形成する、弾性境界波装置の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)