WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008087686) SUBSTRAT EN SEMI-CONDUCTEUR SE PRÊTANT À LA RÉALISATION DE DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES ET/OU OPTOÉLECTRONIQUES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/087686    N° de la demande internationale :    PCT/IT2008/000025
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 17.01.2008
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE [IT/IT]; P.le Aldo Moro, 7, I-00185 Roma (RM) (IT) (Tous Sauf US).
D'ARRIGO, Giuseppe Alessio Maria [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
LA VIA, Francesco [IT/IT]; (IT) (US Seulement)
Inventeurs : D'ARRIGO, Giuseppe Alessio Maria; (IT).
LA VIA, Francesco; (IT)
Mandataire : BOTTI, Mario; Botti & Ferrari S.r.l., Via Locatelli, 5, I-20124 Milano (IT)
Données relatives à la priorité :
MI2007A0000056 17.01.2007 IT
Titre (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SUITABLE FOR THE REALISATION OF ELECTRONIC AND/ OR OPTOELECTRONIC DEVICES AND RELATIVE MANUFACTURING PROCESS
(FR) SUBSTRAT EN SEMI-CONDUCTEUR SE PRÊTANT À LA RÉALISATION DE DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES ET/OU OPTOÉLECTRONIQUES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductive substrate (1) is described that is suitable for realising electronic and/ or optoelectronic devices of the type comprising at least one substrate (3), in particular of single crystal silicon, and an overlying layer of single crystal silicon (5). Advantageously, according to the invention, the semiconductive substrate (1) comprises at least one functional coupling layer (10) suitable for reducing the defects linked to the differences in the materials used. In particular, the functional coupling layer 10 comprises a corrugated portion (6) made in the layer of single crystal silicon (5) and suitable for reducing the defects linked to the differences in lattice constant of such materials used. Alternatively, the functional coupling layer (10) comprises a porous layer (4) arranged between the substrate of single crystal silicon (3) and the layer of single crystal silicon (5) and suitable for reducing the stress caused by the differences between the thermal expansion coefficients of the materials used. A manufacturing process of such a semiconductive substrate is also described.
(FR)substrat en semi-conducteur (1) se prêtant à la réalisation de dispositifs électroniques et/ou optoélectroniques du type comprenant au moins un substrat (3), en particulier en silicium à cristal unique, et une couche de recouvrement en silicium à cristal unique (5). L'avantage, selon l'invention, est que ledit substrat (1) comprend au moins une couche de couplage fonctionnelle (10) appropriée à la réduction des défauts liés aux différences de matériaux utilisés. En particulier, ladite couche (10) comprend une partie ondulée (6) dans la couche au silicium à cristal unique (5) et se prêtant à la réduction des défauts liés aux différences de constante de réseau des matériaux utilisés. A titre de variante, ladite couche (10) comprend une couche poreuse (4) disposée entre le substrat au silicium à cristal unique (3) et la couche au silicium à cristal unique (5) et se prêtant à la réduction de la contrainte issue des différences entres les coefficients d'expansion thermique des matériaux utilisés. On décrit aussi un procédé de fabrication d'un tel substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : italien (IT)