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1. (WO2008087585) SYSTÈME MEMS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/087585    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/050124
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 15.01.2008
CIB :
H04B 1/04 (2006.01), H03H 9/02 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
VAN BEZOOIJEN, Adrianus [NL/NL]; (GB) (US Seulement).
SNEEP, Jacobus, G. [NL/NL]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : VAN BEZOOIJEN, Adrianus; (GB).
SNEEP, Jacobus, G.; (GB)
Mandataire : WHITE, Andrew, G.; c/o NXP Semiconductors IP Department Cross Oak Lane Redhill Surrey RH1 5HA (GB)
Données relatives à la priorité :
07100722.3 18.01.2007 EP
Titre (EN) MEMS CAPACITOR SWITCH ARRAY
(FR) SYSTÈME MEMS
Abrégé : front page image
(EN)A MEMS capacitor switch array is driven with three voltages, a higher voltage, a lower voltage and a ground voltage. The lower voltage is applied to the common bias terminal (68) and the ground voltage to the control terminal (42) Selected MEMS devices are switched on by applying the higher voltage to the control terminals (42) of the selected MEMS devices (38) and the ground voltage to the one of the common bias terminals. The higher voltage is kept for a predetermined period and then it is lowered to the lower voltage before a new cycle is produced. In the new cycle the voltages are reversed and the switches are inversely polarised. A charge pump (50) leads a capacitor (52) to drive the switch array.
(FR)La présente invention concerne une rangée de commutateurs de condensateurs en technologie MEMS (systèmes micro-électro-mécaniques) attaquée par trois tensions, une tension supérieure, une tension inférieure, et une tension de masse. La tension inférieure est appliquée à la borne de polarisation commune (68), et la tension de masse à la borne de commande (42). Des dispositifs MEMS sélectionnés sont rendus passants par application de la tension supérieure aux bornes de commande (42) des dispositifs MEMS sélectionnés (38), la tension de masse étant appliquée à l'une des bornes de polarisation commune. La rangée fait alors un cycle de retour en sens inverse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)