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1. (WO2008087527) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE STRUCTURE SOI AVEC UNE COUCHE ISOLANTE DONT L'ÉPAISSEUR EST CONTRÔLÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/087527    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/000087
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 10.01.2008
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR THECHNOLOGIES [FR/FR]; Chemin des Franques, Parc Technologique des Fontaines, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
CAYREFOURCQ, Ian [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : CAYREFOURCQ, Ian; (FR)
Données relatives à la priorité :
0752684 16.01.2007 FR
Titre (EN) METHOD OF PRODUCING AN SOI STRUCTURE WITH AN INSULATING LAYER OF CONTROLLED THICKNESS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE STRUCTURE SOI AVEC UNE COUCHE ISOLANTE DONT L'ÉPAISSEUR EST CONTRÔLÉE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to an SOI or SeOI type structure and its method of manufacturing, the structure comprising a thin layer (4) on a substrate (6), furthermore with an insulating layer (2) between the thin layer (4) and the substrate (6). The insulating layer (2) comprises at least one dielectric layer in a high k type material having a capacitance that is substantially equivalent to the capacitance of a silicon dioxide (SiO2) layer with a thickness that is less than or equal to 30 nm.
(FR)L'invention concerne une structure de type SOI ou SeOI et son procédé de fabrication, la structure comprenant une couche mince (4) sur un substrat (6), et comprenant en outre une couche isolante (2) entre la couche mince (4) et le substrat (6). La couche isolante (2) comprend au moins une couche diélectrique dans un matériau de type à k élevé ayant une capacitance sensiblement équivalente à celle d'une couche de dioxyde de silicium (SiO2) avec une épaisseur inférieure ou égale à 30 nm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)