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1. (WO2008086776) PROCÉDÉ D'AUTO-SURVEILLANCE DE LA RUPTURE DE COMPOSANTS À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR CONÇU À CET EFFET
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/086776    N° de la demande internationale :    PCT/DE2008/000047
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 11.01.2008
CIB :
H01L 27/02 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITÄT STUTTGART [DE/DE]; Keplerstrasse 7, 70174 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
KASPER, Erich [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MORSCHBACH, Michael [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KASPER, Erich; (DE).
MORSCHBACH, Michael; (DE)
Mandataire : GAGEL, Roland; Landsberger Str. 480a, 81241 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2007 002 820.4 19.01.2007 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR SELBSTÜBERWACHUNG DES DURCHBRUCHS IN HALBLEITERBAUTEILEN SOWIE DAFÜR AUSGEBILDETES HALBLEITERBAUTEIL
(EN) METHOD FOR SELF-MONITORING THE BREAKDOWN IN SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND SEMICONDUCTOR COMPONENT ADAPTED THERETO
(FR) PROCÉDÉ D'AUTO-SURVEILLANCE DE LA RUPTURE DE COMPOSANTS À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR CONÇU À CET EFFET
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Überwachung des Durchbruchs eines pn-Übergangs in einem Halbleiterbauteil sowie ein für die Durchführung des Verfahrens ausgebildetes Halbleiterbauteil. Bei dem Verfahren wird mit einem in das Halbleiterbauteil integrierten photosensitiven elektronischen Bauelement (8) optische Strahlung erfasst, die im Falle eines Durchbruches am pn-Übergang emittiert wird. In Abhängigkeit von der erfassten Strahlung wird die Versorgung des pn-Überganges geregelt, um einen vollständigen Durchbruch während des Betriebes des Halbleiterbauteils zu verhindern. Das vorgeschlagene Verfahren sowie das dafür ausgebildete Halbleiterbauteil ermöglichen eine Vergrößerung des Betriebsbereiches des Halbleiterbauteils sowie eine erhöhte Leistungsausbeute ohne die Gefahr einer Zerstörung.
(EN)The invention relates to a method for monitoring the breakdown of a pn junction in a semiconductor component and to a semiconductor component adapted to carrying out said method. According to the method, optical radiation which is emitted if a breakdown occurs on a pn junction is detected by a photosensitive electronic component (8) integrated into the semiconductor component. The supply of the pn junction is controlled according to the detected radiation to prevent a complete breakdown during operation of the semiconductor component. The method according to the invention and the semiconductor component adapted thereto permit the operating range of the semiconductor component to be extended and the power output to be increased without the risk of destruction.
(FR)La présente invention concerne un procédé de surveillance de la rupture d'une jonction pn dans un composant à semi-conducteur et un composant à semi-conducteur conçu pour la mise en oeuvre de ce procédé. Dans le cadre du procédé de l'invention, un composant électronique photosensible (8) intégré au composant à semi-conducteur permet la production d'un rayonnement optique qui est émis dans le cas d'une rupture au niveau de la jonction pn. En fonction du rayonnement détecté, l'alimentation de la jonction pn est réglée pour empêcher une rupture complète au cours du fonctionnement du composant à semi-conducteur. Le procédé de l'invention et le composant à semi-conducteur conçu à cet effet permettent une augmentation de la plage de fonctionnement du composant à semi-conducteur et l'augmentation du rendement de puissance sans risque de détérioration.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)