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1. (WO2008086681) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRATS MÉTALLIQUES À SURFACES DE HAUTE QUALITÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/086681    N° de la demande internationale :    PCT/CN2007/003277
Date de publication : 24.07.2008 Date de dépôt international : 20.11.2007
CIB :
H01L 21/48 (2006.01), H01L 21/321 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : LATTICE POWER (JIANGXI) CORPORATION [CN/CN]; No. 235 East Nanjing Road, Nanchang, Jiangxi 330047 (CN) (Tous Sauf US).
XIONG, Chuanbing [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
FANG, Wenqing [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WANG, Li [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WANG, Guping [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
JIANG, Fengyi [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : XIONG, Chuanbing; (CN).
FANG, Wenqing; (CN).
WANG, Li; (CN).
WANG, Guping; (CN).
JIANG, Fengyi; (CN)
Mandataire : KING & WOOD PRC LAWYERS; 31/F, Office Tower A, 39 Dongsanhuan, Zhonglu, Beijing 100022 (CN)
Données relatives à la priorité :
200710001586.3 08.01.2007 CN
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING METAL SUBSTRATES WITH HIGH-QUALITY SURFACES
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRATS MÉTALLIQUES À SURFACES DE HAUTE QUALITÉ
Abrégé : front page image
(EN)One embodiment of the present invention provides a method for fabricating a high-quality metal substrate. During operation, the method involves cleaning a polished single-crystal substrate (304). A metal structure of a predetermined thickness is then formed on a polished surface of the single-crystal substrate (304). The method further involves removing the single-crystal substrate (304) from the metal structure (302) without damaging the metal structure (302) to obtain the high-quality metal substrate, wherein one surface of the metal substrate is a high-quality metal surface which preserves the smoothness and flatness of the polished surface of the single-crystal substrate (304).
(FR)Dans un mode de réalisation, la présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat métallique de haute qualité. Lors du fonctionnement, le procédé consiste à nettoyer un substrat monocristallin (304) poli. Une structure métallique d'une épaisseur prédéterminée est ensuite formée sur une surface polie du substrat monocristallin (303). Le procédé consiste en outre à éliminer le substrat monocristallin (304) de la structure métallique (302) sans endommager la structure métallique (302) afin d'obtenir le substrat métallique de haute qualité, une surface du substrat métallique étant une surface métallique de haute qualité qui préserve le lissé et la planéité de la surface polie du substrat monocristallin (304).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)